ct.14N-doped ZnO
ZnO:N films have

ct.14N-doped ZnO
ZnO:N films have been fabricated byvarious deposition methods such as molecular-beamepitaxy,5 chemical vapor deposition,4,7 sputtering,15,16 pulselaser deposition,3 and thermal oxidation of Zn3N2.17,18 Unfortunately, the reliability in obtaining p-type ZnO:N is stillunder debate. Because the chemical activity of O is higherthan that of N, Zn preferentially combines with O rather thanwith N. As a result, it is difficult for N to be incorporated intoZnO films. Among these fabrication methods, thermal oxidation of Zn3N2 can overcome the crucial problem concerningthe low solubility of the N acceptors in ZnO. In the thermaloxidation process, N atoms in Zn3N2 are replaced by externalO atoms, and then the residual N atoms in the transformedZnO:N films will act as acceptors. The main advantage ofthis oxidation method is to raise the solubility of the N acceptors in ZnO, in addition to its simple and easy way. However, in-depth data on the electrical properties of the thermally oxidized ZnO:N films have not yet been reported.Therefore, in this study, we have synthesized ZnO:N films byoxidative annealing of sputtered Zn3N2 films and have systematically investigated the electrical properties from theviewpoint of annealing temperature.

結果 (繁體中文) 1:

ct.14
N-doped ZnO
ZnO:N films have been fabricated by
various deposition methods such as molecular-beam
epitaxy,5 chemical vapor deposition,4,7 sputtering,15,16 pulse
laser deposition,3 and thermal oxidation of Zn3N2.
17,18 Unfortunately, the reliability in obtaining p-type ZnO:N is still
under debate. Because the chemical activity of O is higher
than that of N, Zn preferentially combines with O rather than
with N. As a result, it is difficult for N to be incorporated into
ZnO films. Among these fabrication methods, thermal oxidation of Zn3N2 can overcome the crucial problem concerning
the low solubility of the N acceptors in ZnO. In the thermal
oxidation process, N atoms in Zn3N2 are replaced by external
O原子，並且在轉化然後將殘餘的N原子
的ZnO：N膜將作為受體。的主要優點
這種氧化方法是提高ZnO中的N個受體的溶解度，除了其簡單和容易的方法。然而，深入的熱氧化ZnO的電性能數據：尚未報導N薄膜。
因此，在本研究中，我們已經合成了氧化鋅：由N薄膜
濺射Zn3N2膜的氧化退火和有系統地從所研究的電性能
退火溫度的觀點出發。

結果 (繁體中文) 2:

ct.14
N 摻雜的 ZnO ZnO：N 薄膜已被製造
各種沉積方法，如分子束
外延，5 化學氣相沉積，4，7濺射，15，16 脈衝
Zn3N2的鐳射沉積、3和熱氧化。
17，18 不幸的是，獲得 p 型 ZnO：N 的可靠性仍然是
正在辯論。因為O的化學活性較高
比N，Zn優先結合與O，而不是
與N。因此，很難將 N 併入
ZnO電影。在這些製造方法中，Zn3N2的熱氧化可以克服與
ZnO中N接受器的低溶解度。在熱
氧化過程中，Zn3N2 中的 N 原子被外部
O原子，然後殘餘的N原子在轉化
ZnO：N電影將充當接受者。主要優勢
這種氧化法除了簡單易行外，還提高了ZnO中N接受器的溶解度。然而，關於熱氧化ZnO：N薄膜的電氣特性的深入資料尚未報告。
因此，在這項研究中，我們合成了ZnO：N薄膜
噴濺的 Zn3N2 薄膜的氧化退火，並系統地研究了
退火溫度的觀點。

結果 (繁體中文) 3:

ct.14號
製備了N摻雜ZnO:N薄膜
各種沉積方法，如分子束
外延，5化學氣相沉積，4,7濺射，15,16脈衝
雷射沉積，3和Zn3N2的熱氧化。
不幸的是，獲得p型ZnO:N的可靠性仍然是
正在辯論中。因為O的化學活性更高
鋅優先與氧結合，而不是與氮結合
囙此，N很難被納入
氧化鋅薄膜。在這些製備方法中，Zn3N2的熱氧化可以克服以下關鍵問題
N受體在ZnO中的低溶解度。在熱力中
氧化過程中，Zn3N2中的N原子被外界取代
O原子，然後轉換後的剩餘N原子
ZnO:N薄膜將作為受體。主要優勢
這種氧化方法除了簡單易行外，還可以提高N受體在ZnO中的溶解度。然而，關於熱氧化ZnO:N薄膜電學性質的深入研究還未見報導。
囙此，在本研究中，我們藉由
濺射Zn3N2薄膜的氧化退火及其電學效能的系統研究
退火溫度的觀點。