It has been proposed that oxygen mo

It has been proposed that oxygen molecules can grab the electrons from the n-type metal oxide semiconductors, adsorb on their surface, and thus change the carrier densities. [ 26 ] To better understand the charge transfer mechanism of the device, we put the sample in vacuum (VA) conditions (10 − 6 mbar). Figure 2 c illustrates that under the vacuum condition, with 325 nm light irradiation, the CNP of graphene undergoes a signifi cant shift towards about −40 V because of electron transfer, as shown in curve 2. However, it does not return after we switch off the laser, shown by curve 3. To further confi rm the results, we have also done the control experiments in both nitrogen and oxygen environment, see Figure S2 in Supporting Information. In nitrogen, similar to the vacuum case, the UV light causes a left shift of CNP, and the CNP would not come back after we switch off the UV light; while in oxygen, it resembles the case in the air, the CNP would undergo a left shift with irradiation of UV light, and come back to its original place after we remove the UV light. We therefore believe that oxygen molecules play an important role in this electron transfer process, because in the vacuum condition the oxygen molecules are pumped away after the UV induced desorption.

結果 (中文) 1:

它提出氧分子可以抓住电子从 n 型金属氧化物半导体、 吸附在其表面上，从而改变载流子密度。[26] 对更好地了解设备的电荷转移机制，我们把样品放在真空 (VA) 条件 （10 − 6 毫巴)。图 2 c 说明，在真空条件下，与 325 nm 的光照射下石墨烯的 CNP 经历明显不能转向关于 − 40 V 由于电子转移中曲线 2 所示。然而，它不返回后我们关掉的激光器，由曲线 3 所示。为了进一步油槽结果，我们也做了控制实验在氮气和氧气的环境中，请参阅图 S2 中支持的信息。在氮，类似于真空的情况下，紫外线光原因 CNP 和 CNP 的左的移位不会回来之后我们关掉 UV 灯 ；而在氧气，它类似于空气中的案例，CNP 将接受左的移位的紫外线光照射并回到原来的地方后我们删除 UV 光。因此，我们认为氧分子在此电子转移过程中发挥重要作用因为在真空条件下的氧分子后紫外线诱导解吸走抽水。

結果 (中文) 2:

它已被提出，氧分子可以从n型金属氧化物半导体抓住电子，吸附在其表面上，从而改变载流子密度。[26]为了更好地理解该装置的电荷转移机理，我们把样品在真空（VA）的条件下（10 - 6毫巴）。图2 C示出了在真空条件下，以325纳米的光照射下，石墨烯的CNP经历因电子转移的朝向大约-40伏的显着移位，如图2的曲线。然而，它不返回后我们关掉激光器，由曲线3所示。为了进一步肯定RM的结果，我们也做了氮和氧的环境控制实验，见图S2在支持信息。在氮，类似于真空的情况下，紫外线导致的CNP左移，而CNP不会回来后，我们关掉紫外灯，而在氧气，它类似的情况在空气中，CNP将接受一个左移，用紫外灯照射，回来到原来的地方后，我们消除了紫外线灯。因此我们认为，氧分子在其中发挥电子传递过程中起重要作用，因为在真空条件下的氧分子在UV诱导的解吸后抽走。

結果 (中文) 3:

它已被提出，氧分子可以抓住从N型金属氧化物半导体的电子，吸附在其表面，从而改变载流子密度。【26】为了更好的了解器件的电荷转移机制，我们将样品在真空（VA）条件（10−6毫巴）。图2 C说明真空条件下，用325纳米的光照射，石墨烯的CNP经历了一个显著的转变对−40 V，电子转移，如曲线2所示。然而，它不在我们关掉激光回波，通过曲线3。为了进一步证明这个结果，我们也进行了控制实验中的氮和氧的环境，支持信息见图S2。在氮气中，类似于真空箱，UV光引起的CNP和CNP左移，不会回来后我们关掉紫外线；而在氧气中，它类似于在空气，CNP会随着紫外光照射左移，回到原来的地方后，我们将紫外灯。因此我们认为，氧分子的电子转移过程中发挥重要作用，因为在真空条件下的氧分子被抽离的UV诱导解吸后。