There has been an enormous amount o

There has been an enormous amount of reliability testing performed on GaN devices from several manufacturers, including EPC, GaN Systems, Panasonic, and Transphorm. It has been shown that GaN devices can not only pass standard JEDEC testing originally designed for silicon-based power MOSFETs, but devices from both Transphorm and Efficient Power Conversion have passed the more-stringent automotive qualification requirements (AEC Q101). Moreover, EPC’s eGaN transistors and integrated circuits with chip-scale packaging do not have any of the reliability failure mechanisms brought on with traditional MOSFET packaging. As evidence of basic reliability in actual real-world applications, EPC has tracked over 30 billion hours in customer applications over the past four years…with only three device failures. This is a record unmatched by even the silicon power MOSFET!

結果 (繁體中文) 1:

已經有幾家製造商，包括EPC，氮化鎵系統，松下和Transphorm上GaN器件執行的測試的可靠性的大量。它已經表明，GaN器件不僅可以通過標準的JEDEC測試最初設計用於基於矽的功率MOSFET，而是來自Transphorm和高效的電源轉換裝置已經通過了更嚴格的汽車資質要求（AEC Q101）。此外，EPC的的eGaN晶體管和集成電路與芯片級封裝沒有任何帶來與傳統的MOSFET封裝的可靠性失效機制。由於在實際的現實世界的應用基本可靠的證據，EPC一直跟踪在客戶應用中超過30十億小時不超過過去四年......只有三個設備故障。

結果 (繁體中文) 2:

在 GaN 設備上進行了大量可靠性測試，來自多個製造商，包括 EPC、GaN 系統、松下和 Transphorm。已經表明，GaN器件不僅能通過最初為矽基功率MOSFET設計的標準JEDEC測試，而且Transphorm和高效功率轉換的器件都通過了更嚴格的汽車認證要求（AEC Q101）。此外，EPC 的 eGaN 電晶體和帶晶片級封裝的積體電路沒有傳統 MOSFET 封裝帶來的任何可靠性故障機制。作為實際實際應用中基本可靠性的證據，EPC 在過去四年中跟蹤了超過 300 億小時的客戶應用...只有三個設備故障。這是一個記錄，甚至矽功率MOSFET！

結果 (繁體中文) 3:

已經有許多製造商對GaN器件進行了大量的可靠性測試，包括EPC、GaN系統、松下和Transphorm。結果表明，GaN器件不僅可以通過最初為矽基功率mosfet設計的標準JEDEC測試，而且Transphorm和高效功率轉換器件都通過了更嚴格的汽車認證要求（AEC Q101）。此外，EPC的eGaN電晶體和晶片級封裝的集成電路沒有傳統MOSFET封裝帶來的任何可靠性失效機制。作為實際應用中基本可靠性的證據，EPC在過去四年中跟踪了超過300億小時的客戶應用……只有三次設備故障。這是一個連矽功率MOSFET都無法比擬的記錄！