The HJ-IBC solar cell. The HJ-IBC s

The HJ-IBC solar cell. The HJ-IBC solar cell was fabricated using an n-type Czochralski crystalline 6 inch Si wafer with a size of 239 cm2, a thickness of about 165 m, and a resistivity of 3cm. The front wafer surface was textured by anisotropic etching to minimize the light reflection. From the weight measurement before the metallization process, we clarify the thickness of the wafer to be 165 m. Rear side passivation is done by a P+ HJ layer stack(i:a-Si layer deposition followed by p:a-Si layer deposition) and a N+ HJ layer stack (i:a-Si layer deposition followed by n-type thin-film Si layer deposition) by using a capacitively coupled RF PECVD tool. The front passivation is done by the a-Si layer followed by the first dielectric AR layer deposition using the same PECVD tool as used for the rear side. Additionally, a second dielectric AR layer is deposited on the first dielectric layer to minimize the reflection at the front surface of the HJ-IBC cell in air. The P+ and N+ HJ layer stacks are patterned into an interdigitated design on the rear surface. The rear interdigitated pattern is optimized to minimize the series resistance and the recombination. The electrodes are formed on both p:a-Si and n:a-Si layers to form good ohmic contact.there are no high-temperature (

結果 (繁體中文) 1:

的HJ-IBC太陽能電池。的HJ-IBC太陽能電池，使用n型的Czochralski晶體6英寸Si晶片的尺寸239平方厘米的，厚度為約165？m和的？3的電阻率·cm的製造。前的晶片表面通過各向異性蝕刻紋理化，以最小化光反射。從金屬化處理前的重量測量，我們闡明了晶片的厚度為165？米。背面鈍化由P + HJ層堆疊進行
（ⅰ：a-Si層沉積，隨後用p：a-Si層沉積）和N + HJ層堆疊（I：a-Si層沉積隨後的n型薄膜Si層沉積）通過使用電容耦合RF PECVD工具。正面鈍化是由a-Si層，然後通過使用相同的PECVD工具作為用於背面側的第一電介質AR層沉積完成。另外，第二電介質AR層被沉積在第一介電層上，以盡量減少在空氣中的HJ-IBC電池的前表面的反射。在P +和N + HJ層堆疊構圖成後表面上相互交叉的設計。後部互相交叉的圖案被優化以最小化串聯電阻和重組。
形成在兩個P上的電極：a-Si和N：的a-Si層，以形成良好的歐姆接觸。
不存在高溫（

結果 (繁體中文) 2:

HJ-IBC太陽能電池。HJ-IBC太陽能電池採用n型Czochralski晶體6英寸矽晶片製造，尺寸為239cm2，厚度約165米，電阻率為3cm。前晶圓表面通過各向異性蝕刻紋理，以儘量減少光反射。從金屬化過程前的重量測量，我們澄清了晶圓的厚度為165米。 後側鈍化由P+HJ層堆疊完成
（i：a-Si 層沉積，後跟 p：a-Si 層沉積）和 N+ HJ 層堆疊（即：a-Si 層沉積，然後是 n 型薄膜 Si 層沉積），使用電容耦合 RF PECVD 工具。前鈍化由 a-Si 層完成，然後使用與背面相同的 PECVD 工具進行第一個介電 AR 層沉積。此外，第二介電AR層沉積在第一介電層上，以儘量減少HJ-IBC電池在空氣中前表面的反射。P+ 和 N# HJ 層堆疊在後表面被圖案化為跨位設計。後部間數位模式經過優化，可最大限度降低串聯電阻和重組。
電極在p：a-Si和n：a-Si層上形成，形成良好的歐姆接觸。
沒有高溫（

結果 (繁體中文) 3:

HJ-IBC太陽能電池。HJ-IBC太陽電池是用尺寸239cm~2、厚度165m、電阻率3cm的n型直拉單晶6英寸矽晶片製作的。採用各向異性刻蝕的方法對晶片前表面進行紋理處理，以减小光的反射。根據金屬化前的重量量測，我們確定晶圓的厚度為165m。背面鈍化由P+HJ層疊層完成
（i:a-Si層沉積後p:a-Si層沉積）和N+HJ層疊層（i:a-Si層沉積後N型薄膜Si層沉積）使用電容耦合RF-PECVD工具。前面的鈍化是由a-Si層完成的，然後是第一個電介質AR層沉積，使用的PECVD工具與後面的相同。另外，在第一介電層上沉積第二介電AR層，以最小化HJ-IBC電池前表面在空氣中的反射。P+和N+HJ層堆棧在後表面被圖案為叉指設計。優化後叉指方向圖，以减小串聯電阻和複合。
電極在p:a-Si和n:a-Si層上形成良好的歐姆接觸。
沒有高溫（