3. ConclusionIn this work, ALD-proc

3. ConclusionIn this work, ALD-processed ZnO thin films grown usingdifferent oxidants were developed. The electrical propertiesand growth characteristics were systematically investigated.H2O2-based ZnO thin films were deposited with a lower growthrate and impurity incorporation than H2O-based ZnO thinfilms due to the low vapor pressure of H2O2. H2O2-ZnO thinfilms demonstrated higher resistivity and lower carrier concentration than H2O-ZnO. This could be attributed to the fact thatH2O2 as an oxygen source can provide an oxygen-rich environment, which suppresses the generation of VO and decreases thecarrier concentration. Higher piezoelectric and impurity scattering generated in the (002) preferred orientation for H2O2-ZnO resulted in a decreased Hall mobility when compared toH2O-ZnO. Furthermore, ZnO TFT devices were fabricated,and their performance was evaluated. The TFT fabricated withH2O2-ZnO grown at 150 °C showed considerable performance,such as a high field-effect mobility of 10.7 cm2 V–1 s–1, a highIon/Ioff ratio of 2 × 107, a sharp SS of 0.25 V dec–1, and a lowNtrap of 2.77 × 1012 eV–1 cm–2. Due to the low concentration ofVO, after applying a bias stress of 10 V for 3600 s, the ∆Vth valuefor the H2O2-ZnO TFT is only 0.13 V, which makes it a promising candidate for high-performance electronics.

結果 (繁體中文) 1:

3. 結論在這項工作中，開發了使用不同氧化劑生長的 ALD 處理的 ZnO 薄膜。系統地研究了電氣性能和生長特性。由於H2O2 的蒸氣壓較低，因此沉積的H2O2 基ZnO 薄膜的生長速率和雜質摻入量均低於H2O 基ZnO 薄膜。H2O2-ZnO薄膜表現出比 H2O-ZnO 更高的電阻率和更低的載子濃度。這可能是由於H2O2作為氧源可以提供富氧環境，從而抑制VO的生成並降低載子濃度。與 H2O-ZnO 相比，H2O2-ZnO 在 (002) 擇優取向中產生的更高的壓電和雜質散射導致霍爾遷移率降低。此外，還製作了ZnO TFT裝置，並對其性能進行了評估。使用在 150 °C 下生長的 H2O2-ZnO 製造的 TFT顯示出相當可觀的性能，例如 10.7 cm2 V–1 s–1 的高場效應遷移率、 2 × 107 的高Ion/Ioff 比、0.25 的尖銳SS V dec–1，以及2.77 × 1012 eV–1 cm–2 的低 Ntrap。由於VO 濃度較低，在施加 10 V 偏壓 3600 s 後，H2O2-ZnO TFT 的 ΔVth 值僅為 0.13 V，這使其成為高性能電子裝置的有希望的候選者。

結果 (繁體中文) 2:

3.結論
在這項工作中，ALD處理的ZnO薄膜使用
開發了不同的氧化劑。 電力特性
並對其生長特性進行了系統的研究。
以較低的生長速度沉積了基於H2O2的ZnO薄膜
與基於H2O的ZnO薄膜相比的速率和雜質摻入
由於H2O2的低蒸氣壓。 H2O2 ZnO薄膜
薄膜表現出比H2O-ZnO更高的電阻率和更低的載流子濃度。 這可能是由於
H2O2作為氧源可以提供富氧環境，抑制VO的產生，降低
載體濃度。 H2O2在（002）優選取向中產生的較高壓電和雜質散射-
與
H2O ZnO。 此外還製備了ZnO TFT器件，
並對它們的效能進行了評估。 TFT由
在150°C下生長的H2O2-ZnO表現出相當大的效能，
例如高場效應mo

結果 (繁體中文) 3:

3.結論
在這項工作中，ALD處理的氧化鋅薄膜生長使用
開髮了不同的氧化劑。電氣特性
和生長特性進行了繫統的研究。
H2O2基ZnO薄膜以較低的生長速率沉積
比H2O基ZnO薄
由於H2O2的低蒸汽壓而形成的薄膜。H2O2-ZnO薄膜
與H2O-ZnO相比，薄膜表現出更高的電阻率和更低的載流子濃度。這可以歸因於這樣的事實
H2O2作爲氧源可以提供富氧環境，抑製VO的生成，降低
載流子濃度。H2O2-在(002)擇優取向産生更高的壓電和雜質散射
與相比，ZnO導緻霍爾遷移率降低
H2O氧化鋅。此外，製造了ZnO TFT器件，
並對其性能進行了評估。用以下材料製造的TFT
在150℃生長的H2O2-ZnO顯示出相當好的性能，
例如10.7 cm2的高場效應遷移率
v–1s–1，高電平
Ion/Ioff比爲2 × 107
、0.25V dec–1的急劇SS和低
Ntrap爲2.77×1012 eV–1cm–2。由於低濃度的
VO，在施加10 V的偏置應力3600 s後，Vth值
對於H2O2-ZnO TFT僅爲0.13 V，這使其成爲高性能電子器件的有前途的候選者。