indicating very low sensitivity of

indicating very low sensitivity of Ru to dimension-dependent additional scattering mechanisms. The values for large lines were of the order of 12–14 μΩcm, again very similar to the thin film values, increasing to 15–17 μΩcm for the narrowest structures with cross-sectional areas of 200–300 nm2. This confirms that low-resistivity Ru can be obtained by ALD in scaled interconnect structures with BEOL compatible thermal budgets. For the narrowest structures with areas of 200–300 nm2, corresponding to HP values of 8–10 nm, the resistivities come close to N5 target values and compare favorably to effective resistivities of Cu+barrier/liner combinations for realistic barrier and liner thicknesses. Note that the Ru resistivity at such dimensions is much lower than that of W (~50-100 μΩcm) at similar dimensions, so Ru may also be promising as a W replacement also.

結果 (繁體中文) 1:

指示尺寸依賴額外的散射機制的Ru非常低的靈敏度。對於大線的值是12-14μΩcm的順序，再次非常類似於薄膜值，200-300 NM2的橫截面面積增加至15-17μΩcm為最窄的結構。這證實了低電阻率的Ru可以通過ALD在縮放互連結構與BEOL兼容熱預算得到。對於具有200-300 NM2的區域的最窄的結構，對應於8-10納米HP值，電阻率接近N5目標值和相媲美為現實障礙和襯裡的厚度的Cu +阻擋層/襯墊組合的有效電阻率。需要注意的是在這樣的尺寸釕電阻率遠高於W（〜50-100μΩcm）在類似尺寸的降低，

結果 (繁體中文) 2:

指示 Ru 對尺寸相關附加散射機制的靈敏度非常低。大線的值為 12±14 μcm，與薄膜值非常相似，對於橫截面面積為 200–300 nm2 的最窄結構，則增加到 15±17 μcm。這證實了ALD可以在具有BEOL相容熱預算的縮放互連結構中獲得低電阻魯。對於面積為 200~300 nm2 的最窄結構（對應于 8~10 nm 的 HP 值），電阻接近 N5 目標值，可與 Cu_屏障/襯線組合的有效電阻性進行比較，實現逼真的屏障和襯套厚度。請注意，此類尺寸的 Ru 電阻率遠低於類似尺寸的 W（±50-100 μcm），因此 Ru 也可能有望成為 W 替換。

結果 (繁體中文) 3:

表明Ru對尺寸相關的附加散射機制的靈敏度很低。大線的數值為12-14μΩcm，與薄膜的數值非常相似，對於橫截面積為200-300nm2的最窄結構，新增到15-17μΩcm。這證實了在具有BEOL熱平衡的尺度互連結構中，ALD可以獲得低電阻率Ru。對於面積為200–300 nm2的最窄結構，對應於8–10 nm的HP值，電阻接近N5目標值，並且與實際阻隔層和內襯層厚度的銅+阻隔層/內襯層組合的有效電阻相比更優。值得注意的是，在這種尺寸下Ru的電阻率遠低於W（約50-100μΩcm），囙此Ru也有可能作為W的替代品。