Customer agree to revise design to

Customer agree to revise design to meet RA improvement
Follow below details as discussed with ED
1. Process type is 8 inch wafer PI1 + RDL + PI2 + Cu Pillar bump
2. Layer definition as below
- L168 is final metal
- L9 is PO
- L190 is RDL target, use bias -1 um
- L191 is UBM, use bias -8 um
- L192 is PI1, use bias -1 pull-out from die edge 5um per side
- L193 is PI2, use bias -1 pull in from PI1 frame by 10um per side
3. UBM is target octagon shape, bias -8 um
4. PI1 and PI2 are bottom value, bias -1 um
5. PI1 opening shape change from octagon to oblong, follow same X,Y dimension
6. PI2 opening shape change from octagon to circle, follow same X,Y dimension
7. Die size is 3150*1300um
8. Chamfer by 15um arc all RDLwith 90 degress angle

結果 (繁體中文) 1:

客戶同意修改設計以滿足 RA 的改善按照下面的詳細資訊，如與教育署討論1.進程類型是 8 英寸矽片葡 ⅰ 1 + RDL + PI2 銅支柱撞2.層定義如下圖所示-L168 是最後的金屬-L9 是寶-L190 um 是 RDL 目標，使用偏見-1-L191 um 是博聞，使用偏見-8-L192 是葡 ⅰ 1，使用偏見-拉出從死亡邊緣 5um 每邊 1-L193 是 PI2，由 10um 每邊使用偏見-1 拉在從葡 ⅰ 1 幀3.博聞嗯是目標八角形形狀，偏見-84.葡 ⅰ 1 和 PI2 嗯是最低值，偏見-15.葡 ⅰ 1 開放圖形改變從八角形到長圓形，遵循相同 X，Y 維度6.PI2 開放圖形更改從八角形到圈子，遵循相同 X，Y 維度7.模具尺寸是 3150 * 1300um8.由 15um 弧的倒角所有 RDLwith 90 度角

結果 (繁體中文) 2:

客戶同意修改設計來滿足RA改善
按照以下細節與ED討論
1。流程類型是8英寸晶圓PI1 + RDL + PI2 +銅支柱凹凸
2。下面層定義
- L168是最終的金屬
- L9是PO
- L190是RDL目標，使用偏置-1微米
- L191是UBM，使用偏置-8嗯
- L192是PI1，使用來自芯片邊緣5um的偏見-1牽出每邊
- L193是PI2，採用偏置-1 10um的從PI1幀拉每邊
3。UBM目標是八角形，偏-8嗯
4。PI1和PI2是底值，偏差-1微米
5。PI1從八角形開口形狀變化至長橢圓形，遵循相同的X，Y尺寸
6。PI2從八角形開口形狀的變化來圈，遵循相同的X，Y尺寸
7。芯片尺寸為3150 * 1300um
8。通過倒角弧形15微米的所有RDLwith 90輩分角

結果 (繁體中文) 3:

客戶同意修改設計，以滿足客戶的改進按照下麵的細節與教育1。過程型8英寸晶圓Pi1 + RDL + Pi2 +銅支柱凸點2。層定義如下- L168是最終的金屬- L9是寶- l190是RDL的目標，使用偏置1微米- l191是UBM，使用偏置8微米- l192是1，使用偏芯邊緣5um每側1拔出- l193是PI2，使用偏置1拉從1幀10um每側三.UBM是目標的八角形狀，偏置8微米4。Pi1和Pi2是底值，偏差1微米5。1開口形狀變化從八角形至長圓形，遵循相同的X，Y尺寸6。開口形狀變化Pi2八角形圓，遵循相同的X，Y尺寸7。模具尺寸為3150×1300um8。通過15um圓弧倒角rdlwith 90度角