CVD diamond can be doped, which wid

CVD diamond can be doped, which widens therange of applications of this material, as it becomeselectrically conductive. For a given film thickness, theconductivity of CVD diamond films may vary from 1 ×10−9 Ω−1cm−1, for lightly doped films, to 100 Ω−1cm−1,for heavily doped ones [21]. When heavily doped([B] > 1 × 1020 atoms/cm3), CVD diamond becomesa conducting material or even superconducting atsufficient low temperature (~2K) [21,22]. Accordingly,what determines the conductivity value is going to bethe doping source, the concentration of the relevantdoping element (boron, nitrogen, phosphorusor sulphur) and the location of B atoms withinthe diamond lattice. Boron doping yields p-typesemiconductivity by introducing an acceptor energylevel 0.37 eV above the valence band, while nitrogenor phosphorus doping yield n-type semiconduction[21]. While the latter elements have been reported tosuccessfully dope CVD diamond films, boron exhibitshigher doping efficiency due to its lower chargecarrier activation energy [21].

結果 (繁體中文) 1:

CVD金剛石可以摻雜，這拓寬了
這種材料應用範圍，因為它成為
導電的。對於給定的膜厚度，所述
CVD金剛石薄膜的導電性可能會發生變化，從1×
10-9Ω-1厘米-1，為輕摻雜薄膜，至100Ω-1厘米-1，
對於重摻雜的人[21]。當重摻雜
（[B]> 1×1020原子/ cm3
），CVD金剛石變成
導電材料或甚至超導
充分的低溫（〜2K）[21,22]。因此，
什麼決定電導率值將是
的摻雜源，相關的濃度
摻雜元素（硼，氮，磷
或硫）和B原子的內的位置
金剛石晶格中。硼摻雜的產率的p型
通過引入受主能量半導電性
水平0.37電子伏特的價帶的上方，而氮
或磷摻雜收率n型半導
[21]。而後者的元件已報導
成功地摻雜CVD金剛石薄膜，硼表現出
更高的摻雜效率，由於其較低的電荷
載體活化能[21]。

結果 (繁體中文) 2:

CVD 鑽石可以摻雜，從而拓寬了
這種材料的應用範圍，因為它成為
導電。對於給定的薄膜厚度，
CVD 金剛石薄膜的導電性可能從 1 °
10×9×1cm=1，對於輕度摻雜薄膜，至100×1cm=1，
嚴重摻雜 [21]。嚴重摻雜時
（[B] = 1 × 1020 原子/cm3
），CVD 鑽石成為
導電材料，甚至超導
足夠的低溫 （+2K） [21，22]。因此
決定電導率值的是什麼
興奮劑來源，相關濃度
摻興奮劑（硼、氮、磷）
或硫）和B原子在
鑽石晶格。硼摻興奮劑產生 p 型
通過引入接受能量來半導電性
水準 0.37 eV 高於價帶，而氮
或磷摻興奮劑產量 n 型半導體
[21].雖然後一些要素已報告給
成功摻興奮劑CVD鑽石薄膜，硼展品
由於其較低的電荷，提高了興奮劑效率
載波啟動能量 [21]。

結果 (繁體中文) 3:

CVD金剛石可以被摻雜，從而使
這種資料的應用範圍
導電的。對於給定的膜厚度
CVD金剛石薄膜的導電率可以在1×1之間變化
10-9Ω-1cm-1，對於輕摻雜薄膜，為100Ω-1cm-1，
對於重摻雜的[21]。重摻雜時
（[B]>1×1020原子/cm3
），CVD金剛石變成
導電資料
足够低溫（~2K）[21,22]。囙此，
什麼决定了電導率值
摻雜源，相關濃度
摻雜元素（硼、氮、磷
或硫）和B原子在
鑽石格子。硼摻雜產生p型
引入受主能的電晶體性
價帶上方0.37ev水准，而氮
或磷摻雜產生n型電晶體
[21]。而後一種元素被報告給
成功摻雜CVD金剛石薄膜，硼顯示
由於它的電荷較低，所以摻雜效率較高
載流子活化能[21]。