Then, the ZnO QDs-graphene composit

Then, the ZnO QDs-graphene composite was dispersed in dimethylformamide (DMF) solvent and spun coated on top of the NPD layer to form the active region of the device. After that, a thin layer of 2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP) with thickness around 30 nm was evaporated onto the top of the active region as an electron transport/hole blocking layer and annealed in air at 5 C for 30 min. Finally,aluminum contact with thickness of 150 nm was deposited on top of the device through e-beam evaporator.

結果 (中文) 1:

然后，ZnO 油溶性量子点-石墨烯复合材料是分散在二甲基甲酰胺 (DMF) 溶剂中，纺涂层，形成设备的活动区域在 NPD 层之上。之后，一层薄薄的 2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲罗啉 (BCP)，厚度约 30 nm 蒸发掉到活动区域的顶部上作为一个的电子传输孔阻塞层和退火的空气在 5 C 为 30 分钟。最后，铝联系，厚度为 150 毫微米存放在通过电子束蒸发器设备。

結果 (中文) 2:

然后，在ZnO量子点的石墨烯的复合物分散在二甲基甲酰胺（DMF）溶剂中，纺涂在NPD层的顶部，以形成器件的有源区。此后，一层薄薄的2,9 - 二甲基-4,7 - 二苯基-1,10 - 菲咯啉（BCP）与大约30纳米的厚度被蒸发到有源区的顶部作为电子传输/空穴阻挡层和在5℃30分钟空气中退火。最后，用150纳米厚的铝接触沉积在装置的顶部，通过电子束蒸发器。

結果 (中文) 3:

然后，ZnO量子点的石墨烯复合材料的分散在二甲基甲酰胺（DMF）上的NPD层溶剂和旋涂形成器件的有源区。在那之后，一层薄薄的2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1，10邻菲咯啉（BCP）的厚度约30 nm的蒸发到有源区的顶部作为电子传输和空穴阻挡层，并在空气中退火5℃30分钟。最后，用150 nm厚铝的接触是通过电子束蒸发设备上沉积。