雖於顯影後檢查確認無殘留，仍建議RD將光阻去除全面曝光資料修改為覆滿整

雖於顯影後檢查確認無殘留，仍建議RD將光阻去除全面曝光資料修改為覆滿整個基板區域

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結果 (英文) 1: [復制]

復制成功！

Although it is confirmed that there is no residue after development, it is still recommended that RD modify the photoresist removal and comprehensive exposure data to cover the entire substrate area

正在翻譯中..

結果 (英文) 2:[復制]

復制成功！

Although the post-development inspection confirms that there is no residue, it is recommended that RD modify the light resistance removal full exposure data to cover the entire substrate area

正在翻譯中..

結果 (英文) 3:[復制]

復制成功！

Although it is confirmed that there is no residue after development, it is recommended that RD modify the full exposure data of photoresist removal to cover the whole substrate area

正在翻譯中..

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