Pure silicon does not conduct elect

Pure silicon does not conduct electricity. Doping is the replacement of some silicon atoms in the crystal lattice by adding trace amounts of impurities from either Group VA or Group lllA elements, enabling the silicon to conduct electricity. When trace impurities from Group VA are added, such as phosphorus, extra electrons are available to conduct electricity. This is referred to as n-type doping because of the negative charge on the electrons. When impurities from Group lllA are added, such as boron, extra "holes" are available to allow the flow of electrons. This is referred to as p-type doping because of the positive charge from the lack of electrons, or "holes".
Since electrical current is used to heat the rods for the thermal deposition process, the rods must be doped so they can conduct current. The filaments are doped as they are "pulled" in the manufacturing process. A controlled amount of phosphine (PH3) is blown on the molten silicon in the melt zone. The phosphorus atoms replace silicon atoms in the crystal lattice, changing the resistivity of the filament. The hydrogen atoms don't enter the lattice, and are carried off in the argon gas flowing through the growth chamber. The result is a filament which is able to conduct electricity.
The dopant is an undesirable Impurity in the final product, so the amount is minimized. The filaments are only doped enough to allow them to "start" in the reactors. The following table shows the end to end resistance of the various types of filaments.

結果 (中文) 1:

纯硅不导电。兴奋剂是通过添加微量的杂质从组 VA 或组 lllA 元素，使硅导电的一些硅原子在晶体点阵的更换。痕量杂质从组 VA 添加时，磷，多余的电子，可导电。这称为 n 型掺杂由于电子的负电荷。杂质从组 lllA 添加时，如硼，额外的"洞"是可允许的电子流。这称为 p 型掺杂由于正电荷从缺乏电子或"洞"。因为电流，用来加热棒热沉积过程，必须掺棒，所以他们可以传导电流。花丝被掺杂，他们被"拉"在制造过程中。控制的量的磷化氢 (PH3) 是吹上硅熔体熔区。磷原子所取代硅原子在晶体点阵，改变灯丝的电阻率。氢原子不进入晶格和氩气体流经生长室中掳走。结果是一灯丝就是能导电的。掺杂剂是不良杂质在最终产品上，所以尽量减少数量。花丝都只有掺足以使他们在反应堆中的"开始"。下表显示的各种类型的花丝的端到端电阻。

結果 (中文) 2:

纯硅不导电。掺杂是通过添加从任VA族或组LLLA元素杂质痕量，使硅进行发电的替换在晶格某些硅原子。当从VA族的微量杂质的添加，如磷，额外的电子可导电。这被称为n型掺杂，因为对电子的负电荷。当从组LLLA杂质加入，例如硼，额外的“洞”是可用的，以允许电子流动。这是因为来自缺少电子，或“洞”的正电荷的被称为p型掺杂。
由于电流被用于加热棒用于热沉积工艺，杆必须掺杂，这样他们可以传导电流。因为它们是在制造过程中“拉”长丝被掺杂。（PH3）膦的控制量的吹入在熔融区的熔融硅。磷原子取代在晶格硅原子，改变丝的电阻率。的氢原子没有进入晶格，并流经生长室的氩气中被带走。结果是一个灯丝，其能够导电。
该掺杂剂是在最终产品中的不希望的杂质，所以量被最小化。纤丝仅掺杂足以允许它们在反应器中的“开始”。下表显示了端到端各种类型长丝的阻力。

結果 (中文) 3:

纯硅不导电。掺杂一些硅原子在晶格中加入微量杂质或VA族或组llla元素置换，使硅导电。当从组的微量杂质加入，如磷，可提供额外的电子导电。这被称为N型掺杂，因为电子的负电荷。加入杂质组llla，如硼，额外的“孔”可让电子流。这被称为p型掺杂，因为从缺乏电子，或“孔”的正电荷。由于电流是用来加热棒的热沉积过程中，杆必须被掺杂，以便他们可以进行电流。当它们被“拉”在制造过程中时，这些细丝被掺杂着。控制量的磷化氢（PH3）是在熔化区熔硅吹。磷原子取代硅原子在晶格中，改变灯丝的电阻率。氢原子不进入晶格，并在氩气流经的生长室中进行。结果是一个灯丝，它能够导电。在最终产品中，掺杂剂是一种不理想的杂质，所以该量被最小化。只有足够的细丝，使它们“启动”在反应堆。下表显示了各种类型的长丝的端阻力。