For several decades, semiconductor

For several decades, semiconductor memory technologies have been successfully scaled down to achieve higher speed and higher density memory devices with lower bit cost. As the DRAM cell size is reduced, the parameters of cell operationš are more crucial than ever. Due to the aggressive scaling cell, we FDQ¶WDYRLGYHUORZ&V7KLVUHVXOWVLQSRRUGDWDUHWHQWLRQWLPH and an insufficient sensing margin. Furthermore, as the cell transistor is scaled down, huge leakage current is inevitable in the case of the buried gate (BG) structure due to the weak gate controllability and interference between neighbor transistors. Contrary to the continuous scaling down trend of DRAM, NAND flash memory has made great progress towards the new era. Instead of a conventional 2D floating gate (FG) cell, 3D charge trap NAND was unveiled and successfully commercialized. By demonstrating the possibility of higher performance and robust reliability, this new NAND product is expected to provide distinguished value to customers and to expand the high-end market size. In spite of high expectation, there are still concerns about successful mass production. In this paper, the technology scaling issues of DRAM and 3D NAND flash will be reviewed and some meaningful solutions to overcome these challenges will be addressed as well as future technology prospects.

結果 (繁體中文) 1:

幾十年來，半導體存儲器技術已成功地按比例縮小，以實現更高的速度和較低的位成本更高密度的存儲器裝置。隨著DRAM單元尺寸的減小小區操作的，參數?? 比以往更加重要。由於激進的縮放細胞，我們FDQ¶W？DYRLG？YHU？ORZ？＆V ?? 7KLV？UHVXOWV？LQ？SRRU？GDWD？UHWHQWLRQ？WLPH？和不足的感測裕度。此外，由於單元晶體管按比例縮小，巨大的漏電流是在掩埋柵（BG）結構的情況下不可避免由於鄰居晶體管之間的弱柵極可控性和干擾。相反的是連續的縮減DRAM，NAND閃存的趨勢使邁向新時代的巨大進步。代替傳統的2D浮置柵極（FG）單元，3D電荷俘獲NAND首次亮相，並成功地商業化。通過展示更高的性能和強大的可靠性的可能性，這種新的NAND產品，預計將提供傑出的客戶價值，擴大高端市場的規模。儘管高期待，仍有約成功量產的擔憂。在本文中，DRAM和3D NAND閃存的技術升級問題進行審查，並克服這些挑戰的一些有意義的解決方案會以及未來的技術前景得到解決。

結果 (繁體中文) 2:

幾十年來，半導體儲存體技術一直成功地縮小規模，以更低的比特成本實現更高速、高密度的儲存體器件。隨著DRAM細胞尺寸的減小，細胞操作的參數比以往任何時候都更加重要。由於具有侵略性的擴展單元，我們 FDQ_WDYRLGYHUORZ_V7KLVUHVXWRRRRWWHWLWLWLPH 和感應裕量不足。此外，隨著電池電晶體的縮小，由於柵極可控性和相鄰電晶體之間的干擾，在埋柵（BG）結構的情況下，巨大的漏電流是不可避免的。與DRAM不斷縮小的趨勢相反，NAND快閃記憶體向新時代邁進了一大步。3D 電荷陷阱 NAND 被揭幕並成功商業化，而不是傳統的 2D 浮動門 （FG） 單元。通過展示更高的性能和強大的可靠性的可能性，這種新的NAND產品有望為客戶提供卓越的價值，並擴大高端市場規模。儘管人們寄予厚望，但仍有人對成功的大規模生產感到擔憂。本文將回顧DRAM和3D NAND快閃記憶體的技術擴展問題，並討論一些克服這些挑戰的有意義的解決方案以及未來的技術前景。

結果 (繁體中文) 3:

幾十年來，半導體記憶體科技已經成功地縮小了規模，以實現速度更快、密度更高、比特成本更低的儲存設備。隨著DRAM單元尺寸的减小，單元操作的參數變得越來越重要。由於腐蝕性標度元件，我們FDQ¨WDYRLGYHUORZ&V7KLVUHVXOWVLQSRUGDWHQWLRQWLPH和感應裕度不足。此外，隨著單元電晶體的尺寸縮小，由於柵極可控性弱和相鄰電晶體之間的干擾，在埋栅結構中不可避免地會產生巨大的漏電流。與DRAM不斷縮小的趨勢相反，NAND閃存向新時代邁進了一大步。取代了傳統的二維浮栅（FG）單元，3D電荷阱NAND被推出並成功商業化。通過展示更高效能和强大可靠性的可能性，這種新型NAND產品有望為客戶提供卓越的價值，並擴大高端市場規模。儘管有很高的期望，但人們仍然對成功的大規模生產感到擔憂。本文對DRAM和3D-NAND flash的科技擴展問題進行了綜述，提出了一些有意義的解決方案，並展望了未來的科技發展前景。