This de-oxygenating step is commonl

This de-oxygenating step is commonly called “hot hydrogen pre-treatment”. This step is performed to mitigate the growth of silicon dendrites on the growing silicon rods during the main decomposition stage. In this step, the silicon filaments are energized with 45 amps current by the electrical power control system and heated to a temperature above approximately 1475 °F while pure hydrogen flows through the reactor.
The hot hydrogen reduces and evaporates trace hydrocarbons on the silicon surface, removes residual moisture from surfaces, and reduces some of the surface oxides on the silicon filaments by converting them to volatile silicon monoxide. During this step, it is

結果 (中文) 1:

此去充氧的步骤通常称为"热氢前处理"。执行此步骤来缓解日益增长的硅棒硅树突主要分解阶段的增长。在此步骤中，硅丝有活力与 45 安培电流由电力控制系统、 加热到以上约 1475 ° F 而纯净的氢气流量通过反应器的温度。热氢可和蒸发微量烃类在硅表面上的，残余水分去除表面，并减少一些硅丝表面氧化物通过将它们转换为挥发性硅氧化。在此步骤中，它是

結果 (中文) 2:

这种去充氧步骤通常 ​​被称为“热氢预处理”。执行此步骤中的主要分解阶段，以减轻对生长硅棒硅枝晶的生长。在该步骤中，硅细丝通电用45安培由电功率控制系统的电流，并加热至温度高于约1475°F。而纯氢气流经该反应器。
热氢减少和在硅表面上蒸发痕量烃，除去从表面上的残留水分，并通过将它们转换为挥发性的一氧化硅降低一些在硅丝的表面氧化物。在此步骤中，它是

結果 (中文) 3:

这种氧化步骤通常称为“热氢处理”。这一步是为了减轻生长的硅棒的生长过程中的硅棒的主要分解阶段。在这一步中，硅丝被通电的电功率控制系统的45安培电流，并加热到高于约1475华氏温度，而纯氢流过反应器。热氢降低和蒸发的硅表面上的碳氢化合物，从表面上去除残留的水分，并减少了一些表面氧化物的硅丝，通过转换为挥发性氧化硅。在这一步，它是