The TBU ® device, constructed using

The TBU ® device, constructed using MOSFET semiconductor
technology, placed in the system circuit will monitor the
current with the MOSFET detection circuit triggering to provide
an effective barrier behind which sensitive electronics are not
exposed to large voltages or currents during surge events. The
TBU ® device operates in approximately 1 μs - once line
current exceeds the TBU ® device’s trigger current Itrigger.
When operated, the TBU ® device restricts line current to less
than 1 mA typically. When operated, the TBU ® device will
block all voltages including the surge up to rated limits.
After the surge, the TBU ® device resets when the voltage
across the TBU ® device falls to the V reset level. The TBU ®
device will automatically reset on lines which have no DC bias
or have DC bias below V reset (such as unpowered signal lines).
If the line has a normal DC bias above V reset , the voltage
across the TBU ® device may not fall below V reset after the
surge. In such cases, special care needs to be taken to ensure
that the TBU ® device will reset, with software monitoring as one
method used to accomplish this. Bourns application
engineers can provide further assistance

結果 (中文) 1:

The TBU® 设备，采用 MOSFET 半导体技术，放在该系统的电路将监测当前与触发提供的 MOSFET 检测电路背后的敏感的电子不是有效的屏障在浪涌事件期间暴露在大的电压或电流。的TBU® 设备的运作大约 1 μ s-一次线电流超过 TBU® 设备的触发当前 Itrigger。当操作时，TBU® 设备限制线电流对少比 1 马通常。当操作时，TBU® 设备将阻止所有电压包括额定限额涌动。后飙升，TBU® 设备重置时电压在 TBU® 设备到 V 瀑布级别重置。TBU®设备会自动重置有没有直流偏置的线上或有直流偏压低于 V 重置 （如无动力的信号线）。如果线上有 V 以上正常直流偏置，电压跨 TBU® 设备不得低于 V 后重置喘振。在这种情况下，特别照顾的需要采取以确保TBU® 设备会重置，与软件监测为一体用于实现此目的的方法。Bourns 应用工程师可以提供进一步的援助

結果 (中文) 3:

®TBU装置，采用MOSFET半导体构造技术，放置在系统电路中会监控与MOSFET检测电路提供电流触发一个有效的障碍，这是敏感的电子产品的背后在浪涌事件期间暴露于大电压或电流。这个®TBU装置约1μ的一次线操作电流超过®TBU装置触发电流Itrigger。操作时，®TBU装置限制线电流减少比1毫安典型。操作时，®TBU装置阻止所有电压，包括浪涌高达额定限制。飙升之后，®TBU装置重置时，电压在®TBU装置属于V复位电平。®TBU设备将自动复位有无直流偏置的线路或有直流偏压V下复位（如电信号线）。如果线路有一个正常的直流偏置以上V复位，电压在®TBU装置不得低于V复位后浪涌。在这种情况下，需要特别小心，以确保这®TBU装置将复位，用软件监测为一体用于实现这一的方法。Bourns的应用工程师可以提供进一步的帮助