Bilayer or few-layer TMD materials

Bilayer or few-layer TMD materials used for applications11–13and fundamental studies14–20 are mainly derived throughmicromechanical exfoliation, limited by low yield, poor controllabilityin layer number and size. Post-treatment using laser21,plasma22,23, patterning method24, and thermal annealing25 alsoproduces few-layer, bilayer, and monolayer flakes but show sameconstrains. Contrary to these top-down methods, the bottom-upchemical vapor deposition (CVD) approach is highly regardedas one of the most promising ways to produce TMD multilayers26–29. However, the as-produced TMD structures are typicallypolycrystalline with the many randomly oriented domainsand domain boundaries, which inevitably diminish their deviceperformance29–33. Other common issues include co-existence ofareas with monolayer, bilayer, trilayer and few-layer structures,small crystal size (typically in the 10–30 μm range), and lowprocess yield26,34.

結果 (繁體中文) 1:

用於applications11-13雙層或少層TMD材料
和基本studies14-20通過主要衍生
微機械剝離，由產量低，控制性差限制
在層數量和大小。使用laser21，後處理
plasma22,23，構圖method24和熱annealing25也
產生少層，雙層，和單層薄片，但顯示相同的
約束。相反，這些頂向下方法中，自下而上
化學氣相沉積（CVD）的方法是高度重視
作為最有希望的方法來生產一個TMD multilayers26-
29.但是，如此生產的TMD結構通常
多晶與許多隨機取向的網域
和域邊界，這不可避免地降低了其設備
performance29-33。其他常見的問題包括共存
有單層，雙層，三層和少層結構，面積
小的晶體尺寸（通常在10-30微米範圍內），和低的
過程yield26,34。

結果 (繁體中文) 2:

用於應用的雙層或幾層 TMD 材料11_13
和基礎研究14-20主要通過
微機械去角質，受低產量、低可控性的限制
層數和大小。使用鐳射進行後處理21
等離子體22，23，圖案方法24，熱退火25也
產生幾層、雙層和單層片，但顯示相同
約束。與這些自上而下的方法相反，自下而上
化學氣相沉積（CVD）方法受到高度重視
作為生產TMD多層的最有希望的方法之一26。
29. 然而，作為生產的TMD結構通常是
具有許多隨機定向域的多晶
和域邊界，這不可避免地減少了他們的設備
性能29~33。其他常見問題包括
具有單層、雙層、三層和幾層結構的區域，
小晶體尺寸（通常在 10~30 μm 範圍內），低
工藝產量26，34。

結果 (繁體中文) 3:

用於應用的雙層或多層TMD資料11–13
基礎研究14-20主要通過
微機械剝落，產量低，可控性差
在層數和大小上。使用laser21進行治療後，
电浆22、23、圖案化方法24和熱退火25
生成很少的層、雙層和單層薄片，但顯示相同
約束。與這些自上而下的方法相反
化學氣相沉積（CVD）方法受到高度重視
作為生產TMD多層膜最有希望的方法之一26–
29歲。然而，實際生產的TMD結構通常是
具有許多隨機取向疇的多晶
以及域邊界，這不可避免地减少了它們的設備
表演29–33。其他共同問題包括
具有單層、雙層、三層和少量層結構的區域，
小晶體尺寸（通常在10-30μm範圍內），低
工藝產量26,34。