Solid-State Crystallization of Poly

Solid-State Crystallization of Polysilicon: The process begins with the solid-state crystallization of doped polysilicon. This is achieved by subjecting the doped polysilicon layer to a high temperature of 600 °C for 24 hours. Solid-state crystallization is a technique used to transform amorphous or polycrystalline silicon into a single-crystal structure.

結果 (繁體中文) 1:

多晶矽的固態結晶：此過程從摻雜多晶矽的固態結晶開始。這是透過將摻雜多晶矽層置於600°C的高溫下24小時來實現的。固態結晶是一種用於將非晶矽或多晶矽轉變為單晶結構的技術。

結果 (繁體中文) 2:

多晶矽的固態結晶：該過程從摻雜多晶矽的固態晶化開始。 這是通過將摻雜的多晶矽層置於600°C的高溫下24小時來實現的。 固態結晶是一種用於將非晶或多晶矽轉化為單晶結構的科技。

結果 (繁體中文) 3:

多晶矽的固態結晶:該工藝從摻雜多晶矽的固態結晶開始。這是通過將摻雜多晶矽層置於600℃的高溫下24小時來實現的。固態結晶是一種用於將無定形或多晶矽轉變成單晶結構的技術。