We exploit a SOI junctionless trans

We exploit a SOI junctionless transistor concept [10] inwhich an ultra-thin highly-doped silicon channel can bepinched-off by the control of a top ferroelectric gate, while thebottom gate can be used to tune the FET device characteristicsand its properties as an electronic artificial synapse. Suchdevice architecture shows simplicity in the fabrication withoutneeding junctions that need to be ultra-shallow and abrupt andremoves severe limits on fabrication thermal budgets [14].

結果 (繁體中文) 1:

我們利用 SOI 無結晶體管概念 [10]，其中超薄高摻雜矽溝道可以透過頂部鐵電柵極的控制來夾斷，而底部柵極可用於調整 FET 裝置特性及其作為電子人工突觸的特性。這種裝置架構顯示了製造的簡單性，不需要超淺和突變的結，並且消除了對製造熱預算的嚴格限制[14]。

結果 (繁體中文) 2:

我們在
超薄高摻雜矽溝道可以是
通過頂部鐵電柵極的控制而被夾斷，而
底栅可以用來調整FET器件的特性
以及它作為電子人工突觸的特性。 這樣的
器件結構顯示出製造的簡單性
需要超淺和突變的連接
消除了對製造熱預算的嚴格限制[14]。

結果 (繁體中文) 3:

我們利用了SOI無結晶體管概唸[10]
其可以是超薄的高摻雜矽溝道
夾斷的控製頂部鐵電門，而
底柵可用於調整FET器件特性
以及它作爲電子人工突觸的特性。這樣的
器件結構顯示了製造的簡單性
需要超淺和陡峭的連接
消除對製造熱預算的嚴格限製[14]。