Figure 2 shows secondary ion spectr

Figure 2 shows secondary ion spectrometry SIMS profiles of N and O atoms in the ZnO:N samples after oxidative annealing at different temperatures. Here, the film thickness of the ZnO:N samples is about 0.6
m. The N-doping concentration to a depth of 0.45
m is confirmed to be about 21018 cm−3 and to be uniform for all the ZnO:N samples,regardless of oxidation temperature. On the other hand, the O concentration depends strongly on the oxidation temperature;the O concentration increases significantly by the oxidative annealing at 700 and 800 °C in view of the ZnO stoichiometry. This experimental result indicates that the oxidation state of the ZnO:N films is significantly enhanced by the high-temperature oxidation at temperatures between 700 and 800 °C, which is probably associated with a decrease in VO concentration in the ZnO:N films.

結果 (繁體中文) 1:

在不同溫度下的氧化退火後的N個樣本：圖2示出了二次離子質譜SIMS N個型材和O原子在ZnO英寸 在此，ZnO的膜厚：N個樣本為約0.6毫升。？N-摻雜濃度為0.45的深度米被確認為約21018厘米-3和對於所有在ZnO均勻：N個樣本，
無論氧化溫度的。在另一方面中，O濃度的氧化溫度強烈地依賴;
在700和800顯著將O濃度的增加通過氧化退火℃下，在視圖中的ZnO的化學計量的。
該實驗結果表明，ZnO的氧化態：N膜：N膜是由高溫氧化在700和800℃，這可能與在VO濃度於ZnO的降低相關聯的溫度顯著增強。

結果 (繁體中文) 2:

圖2顯示了在不同溫度下氧化退火後，ZnO：N樣品中N原子和O原子的二級電譜SIMS型。這裡，ZnO：N樣品的薄膜厚度約為0.6米。確認深度為0.45米的N-興奮劑濃度約為21018釐米×3，並且對所有ZnO：N樣品都是均勻的，
無論氧化溫度如何。另一方面，O濃度在很大程度上取決於氧化溫度;
O濃度在700和800°C的氧化退火中顯著增加，因為ZnO的化學測量。
實驗結果表明，在700至800°C的溫度下，高溫氧化可顯著增強ZnO：N薄膜的氧化狀態，這可能與ZnO：N薄膜中VO濃度的下降有關。

結果 (繁體中文) 3:

圖2顯示了氧化退火後不同溫度下ZnO:N樣品中N和O原子的二次離子光譜SIMS分佈。這裡，ZnO:N樣品的薄膜厚度約為0.6 m。確定0.45 m深度的N摻雜濃度約為21018 cm-3，並且對於所有ZnO:N樣品來說是均勻的，
不考慮氧化溫度。另一方面，氧濃度與氧化溫度密切相關；
從氧化鋅的化學計量比來看，在700和800℃下進行氧化退火，氧濃度顯著增加。
實驗結果表明，在700～800℃的高溫氧化下，ZnO:N薄膜的氧化狀態明顯增强，這可能與ZnO:N薄膜中VO濃度的降低有關。