功率MOSFET是一種特定類型的金屬-氧化物-半導體場效應電晶體(MOSFET),旨在處理顯著的功率水準。與其他功率半導體器件(如絕緣門雙極晶體管 (IGBT) 或胸腺元件)相比,其主要優點是開關速度高,低電壓效率高。它與 IGBT 共享一個孤立的門,便於駕駛。它們可能受到低增益的制約,有時在一定程度上,門電壓需要高於控制下的電壓。<br>自 20 世紀 60 年代以來,用於製造積體電路的 MOSFET 和 CMOS 技術不斷發展,使電力 MOSFET 的設計成為可能。電力MOSFET與其低功率對應物,橫向MOSFET共用其運行原則。電力MOSFET,這是常用的電力電子產品,是適應標準的MOSFET和商業引入在1970年代。<br>功率MOSFET是世界上最常見的功率半導體器件,由於其低門驅動功率,快速切換速度,[3]易於先進的並行功能,[3][4]寬頻寬,堅固耐用,易於驅動,簡單偏置,易於應用,易於維修。[4] 特別是,它是最廣泛使用的低壓(小於 200 V) 開關。它可以在廣泛的應用中找到,例如大多數電源、直流到直流轉換器、低壓馬達控制器和許多其他應用。 ...
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