These results indicate that the dep

These results indicate that the deposition of a thin film of Mo3Si cubic crystals on the alumina crucible substrate is possible by annealing at 1000 °C in spite of the difficulty of substrate heating. Moreover, it was found, by composition analysis, that the composition of each thin film was close to the stoichiometric composition ratio of Mo:Si=3:1 despite the substrate heating.

結果 (中文) 1:

这些结果表明，在1000°C中虽有困难的基板加热退火对氧化铝坩埚基板上沉积一薄膜Mo3Si立方晶体是可能的。此外，人们发现，通过成分分析，使每个薄膜成分接近钼的化学计量比组成：SI = 3:1尽管衬底加热。

結果 (中文) 2:

这些结果表明 Mo3Si 立方晶体氧化铝坩埚衬底上薄膜的沉积是可能的在 1000 ° C 尽管困难的基板加热退火。此外，它被发现，由成分分析、 每个薄膜的组成是接近 Mo:Si 的化学计量学构成比例 = 3： 1 尽管基片加热。