Electrical characterization was per

Electrical characterization was performed by using a combination of sourcemeter (Keithley 2612 A), Lock-In amplifier (Signal Recovery 7265) and resistance bridges (Lakeshore 370) coupled to a Physical Property Measurement System. The Raman spectra were measured in a backscattering geometry using a 488 nm laser excitation wave-length. Sub-Angström aberration corrected transmission electron microscopy was performed by using a JEM-ARM200cF microscope. EDS was performed through field- emission scanning electron microscopy (Zeiss 1540 XB).

結果 (繁體中文) 1:

通過使用數字源的組合（吉時利2612 A）進行電學表徵，耦合到物理性質測量系統鎖定放大器（信號恢復7265）和電阻橋（湖岸370）。的拉曼光譜中使用488nm的激光激發波長度的背向散射幾何學測量。亞埃像差校正透射電子顯微通過使用JEM-ARM200cF顯微鏡進行。EDS通過現場發射掃描電子顯微鏡（1540蔡司XB）中進行。

結果 (繁體中文) 2:

電氣表使用與物理屬性測量系統耦合的源計（Keithley 2612 A）、鎖定放大器（信號恢復 7265）和電阻橋（湖岸 370）的組合進行。拉曼光譜使用488nm鐳射激發波長在反向散射幾何中測量。使用JEM-ARM200cF顯微鏡進行亞安格斯特勒姆正差校正透射電子顯微鏡。EDS通過場發射掃描電子顯微鏡（蔡司1540 XB）進行。

結果 (繁體中文) 3:

通過將源計（Keithley 2612A）、鎖定放大器（訊號恢復7265）和電阻橋（Lakeshore 370）與物理特性量測系統相結合來進行電特性表徵。利用488nm的雷射激發波長在後向散射幾何結構中量測了拉曼光譜。用JEM-ARM200cF顯微鏡進行亞安氏像差校正透射電鏡觀察。通過場發射掃描電子顯微鏡（蔡司1540XB）進行EDS分析。