Comparison of TER Ratios: The TER r

Comparison of TER Ratios: The TER ratio of FTJs with MFIM and MFIS structures is compared in Fig. 6. Different pulse conditions were applied for the two structures, with ±6 V/500 ns for MFIM and ±10 V/500 ns for MFIS. The passage notes that the MFIS structure had a larger TER ratio than MFIM after the application of the potentiation pulse. This difference is attributed to the asymmetry of the charge screening property of the bottom electrodes in the two structures.

結果 (繁體中文) 1:

TER比率比較：MFIM和MFIS結構的FTJ的TER比率比較如圖6所示。兩種結構應用不同的脈衝條件，MFIM為±6 V/500 ns，MFIS為±10 V/500 ns 。文章指出，在施加增強脈衝後，MFIS 結構比 MFIM 具有更大的 TER 比率。這種差異歸因於兩種結構中底部電極的電荷屏蔽特性的不對稱性。

結果 (繁體中文) 2:

TER比率的比較：具有MFIM和MFIS結構的FTJ的TER比率如圖所示。6。 對兩種結構應用不同的脈衝條件，MFIM為±6 V/500 ns，MFIS為±10 V/500 ns。 文章指出，在施加增强脈衝後，MFIS結構的TER比MFIM大。 這種差异歸因於兩種結構中底部電極的電荷遮罩特性的不對稱性。

結果 (繁體中文) 3:

TER比率的比較:圖6中比較了具有MFIM和MFIS結構的ftj的TER比率。對兩種結構應用不同的脈衝條件，對於MFIM爲6 V/500 ns，對於MFIS爲10 V/500 ns。這篇文章指出，在應用增強脈衝後，MFIS結構比MFIM結構具有更大的TER比率。這種差異歸因於兩種結構中底部電極的電荷屏蔽特性的不對稱性。