Metal-Ferroelectric-Insulator-Metal

Metal-Ferroelectric-Insulator-Metal (MFIM) Structure: In this structure, TiN serves as the bottom electrode. The MFIM structure is commonly used in FTJ devices and typically involves a metal electrode, a ferroelectric layer, an insulator layer, and another metal electrode.

結果 (繁體中文) 1:

金屬-鐵電體-絕緣體-金屬 (MFIM) 結構：在此結構中，TiN 用作底部電極。MFIM結構通常用於FTJ元件中並且通常涉及金屬電極、鐵電層、絕緣體層和另一個金屬電極。

結果 (繁體中文) 2:

金屬-鐵電絕緣體-金屬（MFIM）結構：在這種結構中，TiN用作底部電極。 MFIM結構通常用於FTJ器件，並且通常包括金屬電極、鐵電層、絕緣體層和另一金屬電極。

結果 (繁體中文) 3:

金屬-鐵電體-絶緣體-金屬(MFIM)結構:在這種結構中，錫作爲底部電極。MFIM結構通常用於FTJ器件中，通常包括金屬電極、鐵電層、絶緣層和另一金屬電極。