Continuous efforts in developing Ga

Continuous efforts in developing Ga2O3 epitaxial growth and device process technologies have led to Ga2O3 metaloxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs)7–9 and Schottky barrier diodes (SBDs) that demonstrated reasonably good characteristics commensurate with the material properties and device structures.

結果 (繁體中文) 1:

透過不斷努力開發Ga2O3 外延生長和裝置製程技術，Ga2O3 金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)7-9 和肖特基勢壘二極體(SBD) 表現出了與材料特性和元件結構相稱的相當良好的特性。

結果 (繁體中文) 2:

在開發Ga2O3外延生長和器件工藝科技方面的持續努力已導致Ga2O3金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）7-9和肖特基勢壘二極體（SBD）表現出與資料特性和器件結構相稱的合理良好特性。

結果 (繁體中文) 3:

在開髮Ga2O3外延生長和器件工藝技術方麵的持續努力已經産生了Ga2O3金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)7–9和肖特基勢壘二極管(sbd ),它們表現出與材料特性和器件結構相稱的良好特性。