On the assumption that the loss of

On the assumption that the loss of Si results in TiCx, which, as
discussed below, is believed to retard grain growth, we heated
three different powder configurations at 1650°C for 8 h in a
graphite-heated vacuum furnace. First, a cold-pressed sample of
Ti
3SiC2 powders was placed in an alumina boat next to a small
mound of Si powder (20 m; Elkem Metals Co., Niagara Falls,
NY). Another sample was a compact of a mixture of 10 wt% Si
powder and a balance of Ti3SiC2. The third sample of pressed
Ti
3SiC2 powders was used as a control. All samples were sintered
in covered alumina crucibles to minimize exposure to carbon from
the heating elements.

結果 (中文) 1:

上寺的损失结果在 TiCx，假设，作为下面的讨论，是我们认为阻碍晶粒长大，加热三种不同粉配置在 8 h 在 1650 ° C石墨加热真空炉。第一，冷榨的示例Ti3SiC2 粉末放在旁边的小氧化铝船堆的硅粉 （20 米;尼亚加拉大瀑布，Elkem 金属有限公司NY)。另一个示例是紧凑混合 10 wt %Si粉和 Ti3SiC2 平衡。第三个样品，按下Ti3SiC2 粉末被用作控制。所有样品都烧结在覆盖的氧化铝坩埚，尽量减少暴露于来自碳加热元件。

結果 (中文) 2:

在该Si的损失导致TiCx，其中，因为假定
以下所讨论的，被认为是阻碍晶粒生长，我们加热
三种不同的粉末构在1650℃下，在一8小时
的石墨加热真空炉中。首先，冷压样品
的Ti
3SiC2粉末放在氧化铝舟旁边的一个小
的Si粉丘（20米;？埃肯金属有限公司，尼亚加拉大瀑布，
纽约州）。另一个样品是10％（重量）的Si的混合物的紧凑
和粉末钛碳化硅的平衡。压的第三样品
的Ti
3SiC2粉末被用作对照。所有样品进行烧结
在有盖的氧化铝坩埚中，以尽量减少暴露于碳
加热元件。

結果 (中文) 3:

在假设损失四结果TiCx，其中，作为下面讨论，被认为是延缓晶粒生长，我们加热三种不同的粉末在1650°C的配置为8小时石墨加热真空炉。首先，冷压样品Ti3SiC2粉末放在氧化铝船旁边的一个小Si粉丘（20米；埃肯公司，尼亚加拉大瀑布，NY）。另一个样品是一个紧凑的10重量%的硅的混合物粉末和平衡研究。第三样品压Ti3SiC2粉作为对照组。所有样品均为烧结在覆盖氧化铝坩埚降低碳加热元件。