2.8V TX burst i ndicator2.8V Embedd

2.8V TX burst i ndicator
2.8V Embedded module ready
Loaded with 30pF and ESD
protection diode
It is recommended to add Transient Voltage Suppressor diodes (TVS) on the signals connected to the
SIM socket in order to prevent any Electrostatic Discharge. These types of diodes are mandatory for
the Full Type Approval. They should be placed as close to the SIM socket as possible.
TVS diodes with low capacitance (less than 10pF) also have to be connected on the SIM - CLK and
SIM - IO signals to avoid any disturbance from the rising and falling edge.

結果 (中文) 1:

我ndicator 2.8V TX突发
2.8V嵌入式模块准备好了
30pF及ESD
保护二极管装有

SIM卡插槽相连的信号，以防止任何静电放电，建议增加瞬态电压抑制二极管（TVS） 。
型式批准这些类型的二极管是强制性的。他们应该尽可能地靠近尽可能的SIM卡插槽。
TVS二极管还必须具有低电容（小于10pF）SIM卡上的连接 - CLK
SIM卡 - IO信号的上升沿和下降沿，以避免任何干扰。

結果 (中文) 2:

2.8v发送突发指标
2.8v嵌入式模块的加载和准备
30pf
静电保护二极管
建议添加瞬态电压抑制二极管（电视）的信号连接到
插槽以便防止静电放电。这些类型的二极管是强制性的
全部型式批准。他们应该放在尽量接近尽可能的插槽。
二极体与低电容（小于10pf）也有被连接的模拟时钟和
模拟木卫一避免任何干扰信号的上升和下降沿。

結果 (中文) 3:

2.8 V TX 爆我 ndicator
2.8 v 嵌入式模块准备好
装载 30pF 和 ESD
保护二极管
建议添加瞬变电压抑制二极管 （电视） 上信号连接到
sim 卡插槽，以防止任何静电放电。这些类型的二极管是强制性的
完整的类型批准。他们应尽可能接近尽可能的 sim 卡插槽。
TVS 二极管与低电容 （小于用 10pF） 也要上 SIM-赤  角连接和
SIM-IO 信号以避免任何干扰的上升和下降的边缘。