1. Cu films prepared at high peak p

1. Cu films prepared at high peak power show a higher tensile stress, larger grain sizeand lower electrical resistivity.2. Ti interlayer can greatly improve the Cu film properties.3. Highly preferred (I 11) crystalline orientation Cu film with Ti interlayer is oblained.

結果 (繁體中文) 1:

1.在高峰值功率的Cu製備膜顯示出更高的拉伸應力，較大的晶粒尺寸
，並降低電阻率。
2.鈦層間可以大大提高Cu膜性能。
3.高度優選的（I 11）的結晶取向的Cu與鈦層間膜oblained。

結果 (繁體中文) 2:

1. 在高峰值功率下製備的 Cu 薄膜具有更高的拉伸應力、較大的顆粒大小
和較低的電阻率。
2. 鐵夾層可以大大提高Cu膜的性能。
3. 高度首選 （I 11） 晶體定向 Cu 薄膜與 Ti 夾層是燒結。

結果 (繁體中文) 3:

一。在高峰值功率下製備的Cu薄膜具有較高的拉伸應力和較大的晶粒尺寸
以及更低的電阻率。
2。Ti中間層可以大大改善Cu薄膜的效能。
三。具有Ti中間層的高擇優（I 11）晶向Cu薄膜是扁圓的。