The above models are valid for the

The above models are valid for the on-state regime, in which the gate bias, VG, is greater than the threshold voltage, VT. A further operating regime is described in which VGVT, and this is known as the sub-threshold regime. This is a low current regime, but one in which the channel current increases exponentially with gate bias (in contrast to the linear increase in the high-current, linear regime). Device operation in this regime is characterised by the sub-threshold slope, S, and this is commonly used as a figure of merit for TFT operation.

結果 (繁體中文) 1:

上述模型是有效的導通狀態制度，其中，所述柵極偏壓，VG，大於閾值電壓VT更大。進一步的操作狀態是其中VGVT描述，並且這是被稱為子閾值制度。這是一個低電流制度，但在其中溝道電流呈指數增加與柵極偏壓（相對於在高電流，線性狀態的線性增加）。在這個方案的設備操作的特徵在於，亞閾值斜率，S，並且這被通常用作TFT操作的品質因數。

結果 (繁體中文) 2:

上述模型適用于狀態狀態系統，其中柵極偏置 VG 大於閾值電壓 VT。另一個操作制度描述了VGVT，這稱為子閾值制度。這是一個低電流系統，但通道電流隨柵極偏置呈指數增長（與高電流線性系統中的線性增加相反）。此系統中的設備操作以子閾值斜率 S 為特徵，這通常用作 TFT 操作的優點。

結果 (繁體中文) 3:

上述模型適用於柵極偏壓VG大於閾值電壓VT的通態區，並描述了VGVT的進一步工作區，這稱為亞閾值區。這是一個低電流區，但通道電流隨柵極偏壓呈指數增長（與大電流線性區的線性增長相反）。在這種情況下，器件的工作特性是低於閾值的斜率S，這通常被用作TFT工作的優點。