The photoresponsivity of the device

The photoresponsivity of the device, defined as photocurrent per unit of incident optical power, is shown in Fig. 4. A maximum photoresponsivity 247 A/W at 325 nm was observed under -10 V bias, which is more than three orders of magnitude larger than those of commercial GaN or SiC photodetectors (

結果 (中文) 1:

设备，定义为每个单位的入射光功率，电流的 photoresponsivity 如图 4 所示。最大 photoresponsivity 247 A/W 在 325 nm 指出下-10 V 偏倚，是以上三个数量级大于那些商业甘或碳化硅探测器 （< 0.2 A/W)。

結果 (中文) 2:

该装置的光响应，定义为每单位入射光功率的光电流，如图所示。4。？10 V偏压，这是一个数量级的三个以上的订单比那些商业氮化镓或碳化硅光电探测器（<0.2 A / W）的大 - 下观察在325 nm处有一个最大的光响应247 A / W。

結果 (中文) 3:

该装置的光响应，定义为每入射光功率单元的光电流，如图4所示。一个最大的光响应247 A / W在325 nm的观察下 10 V的偏置，这是超过三个数量大于商用GaN或SiC探测器级（＜0.2个／W）。