The atomic percent ratio of the HZO

The atomic percent ratio of the HZO film was confirmedby X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) depth profiling as shown in Fig. 2 (a), and revealed that the Hf : Zr ratio of theHZO film was around 0.5 : 0.5 using 1 : 1 number of HfO2 :ZrO2 ALD cycles. The grazing incidence X-ray diffraction(GI-XRD) spectrum in Fig. 2 (b) indicates clear ferroelectricorthorhombic phase peaks after the post metal annealing(600 °C for 30 seconds by RTA). The ferroelectric characteristics of the MFM capacitor were verified by capacitanceand polarization measurements as shown in Fig. 2 (c) and (d).The butterfly-like feature of the capacitance-voltage (C-V)characteristics and the polarization-electric field (P-E) hysteresis loops indicate that the post-annealed HZO film hastypical ferroelectric properties.

結果 (繁體中文) 1:

HZO薄膜的原子百分比透過X射線光電子能譜(XPS)深度分析證實，如圖2(a)所示，並顯示HZO薄膜的Hf:Zr比率約為0.5:0.5，使用1 ：1 次 HfO2 ：ZrO2 ALD 循環。圖 2 (b) 中的掠入射 X 射線衍射(GI-XRD) 光譜表明，金屬後退火（600 °C，30 秒，RTA）後出現清晰的鐵電斜方晶相峰。MFM 電容器的鐵電特性透過電容和極化測量進行了驗證，如圖 2 (c) 和 (d) 所示。蝴蝶狀的電容-電壓(CV)特性和極化-電場(PE)磁滯迴線顯示退火後的HZO薄膜具有典型的鐵電特性。

結果 (繁體中文) 2:

證實了HZO膜的原子百分比比
通過X射線光電子能譜（XPS）深度剖析，如圖所示。第2（a）段，並揭示了
使用1∶1數量的HfO2:
ZrO2 ALD迴圈。 掠入射X射線衍射
圖中的（GI-XRD）光譜2（b）表示清晰的鐵電體
金屬後退火後的正交相峰值
（通過RTA在600°C下保持30秒）。 通過電容驗證了MFM電容器的鐵電特性
以及偏振量測，如圖2（c）和（d）所示。
電容電壓（C-V）的蝶形特徵
特性和極化電場（P-E）hysteresis環表明，退火後的HZO薄膜具有
典型的鐵電特性。

結果 (繁體中文) 3:

確認了HZO膜的原子百分比
通過如圖2 (a)所示的X射線光電子能譜(XPS)深度分佈圖，顯示
使用1∶1數量的hfo 2∶1時，HZO膜爲約0.5∶0.5。
氧化鋯ALD循環。掠入射X射線衍射
圖2 (b)中的(GI-XRD)光譜表明清晰的鐵電體
在後金屬退火之後，正交晶相出現峰值
(RTA在600°C下持續30秒)。通過電容來驗証MFM電容器的鐵電characteristics
和偏振測量，如圖2 (c)和(d)所示。
電容電壓的蝴蝶特徵
特性和極化電場(P-E) hysteresis環表明退火後的HZO薄膜具有
典型的鐵電性能。