In summary, an ALT was performed on a ZnGa O photodetector 24with the 的繁體中文翻譯

In summary, an ALT was performed on

In summary, an ALT was performed on a ZnGa O photodetector 24with the MSM structure for long-time operation. The ALT results show that ZGO UVC PDs have low reliability, which the dark current and photocurrent vary with the test time, and the response time and rejec- tion ratio also changed a lot after the one-week test. We can observe that the crystallization was almost identical after ALT from the results of SEM and XRD. Incredibly, XPS results show severe water adsorption on the film surface, and the number of oxygen vacancies has also increased due to the degradation of the material after the test. The changes will pro- vide a different leakage path and increase the carrier concentration. The ozone dissociated by mercury lamps compensates the oxygen vacancies and eliminates the response in visible light region. We find out the Al2O3 thin film could form a passivation layer, and the stability of the current level was significantly improved. The rejection ratio was similar after ALT without the influence of the atmosphere. Our results indicate a method to passivate the ZGO UVC PDs with dramatically improve the long time reliability.
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結果 (繁體中文) 1: [復制]
復制成功!
總之,在具有MSM結構的ZnGaO光電探測器24上進行ALT以進行長時間操作。ALT結果表明,ZGO UVC PD可靠性較低,暗電流和光電流隨測試時間的變化而變化,在一周的測試後響應時間和抑制比也發生了很大變化。從SEM和XRD的結果可以看出,ALT後的結晶幾乎相同。令人難以置信的是,XPS結果顯示薄膜表面存在嚴重的水吸附,並且由於測試後材料的降解,氧空位的數量也有所增加。這些變化將提供不同的洩漏路徑並增加載子濃度。汞燈分解的臭氧補償了氧空位並消除了可見光區域的反應。我們發現Al2O3薄膜可以形成鈍化層,電流水平的穩定性顯著提高。在不受大氣影響的情況下,ALT 後的廢品率相似。我們的結果顯示了一種鈍化 ZGO UVC PD 的方法,可顯著提高長期可靠性。
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結果 (繁體中文) 2:[復制]
復制成功!
總之,在ZnGa O光電探測器24上進行ALT<br>具有用於長時間操作的MSM結構。 ALT結果表明,ZGO UVC PD的可靠性較低,暗電流和光電流隨測試時間的變化而變化,測試一周後回應時間和拒絕率也發生了很大變化。 從SEM和XRD的結果可以觀察到ALT後的結晶幾乎相同。 令人難以置信的是,XPS結果顯示膜表面嚴重的水吸附,並且由於測試後資料的降解,氧空位的數量也新增了。 這些變化將提供不同的洩漏路徑並新增載流子濃度。 汞燈離解的臭氧補償了氧空位,消除了可見光區域的響應。 我們發現Al2O3薄膜可以形成鈍化層,並且電流水准的穩定性顯著提高。 ALT後排异率相似
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結果 (繁體中文) 3:[復制]
復制成功!
總之,在ZnGa 0光電探測器24上進行ALT<br>採用MSM結構,可長期運行。ALT測試結果表明,ZGO UVC PDs的可靠性較低,暗電流和光電流隨測試時間而變化,經過一週的測試,響應時間和抑製比也髮生了很大的變化。從SEM和XRD的結果可以看出,ALT後的結晶幾乎是相同的。令人難以置信的是,XPS結果顯示膜表麵嚴重吸水,並且由於測試後材料的降解,氧空位的數量也增加了。這些變化將提供不同的洩漏路徑並增加載流子濃度。汞燈分解的臭氧補償了氧空位,消除了可見光區的響應。我們髮現Al2O3薄膜可以形成鈍化層,電流水平的穩定性明顯提高。在沒有大氣影響的情況下,ALT後的排斥率是相似的。我們的結果表明了一種鈍化ZGO UVC PDs的方法,顯著提高了長期可靠性。
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