Fig. 3 shows the bending profile of

Fig. 3 shows the bending profile of Cu films deposited at different parameters and theresidual stress calculated with Stoney's equation. Due to the mismatch in the coefficientsof thermal expansion, the Cu films mainly exhibit tensile stress on the Si substrate. Ingeneral, the stress of films prepared by HPPMS is higher than that of the films preparedby deMS. This can be explained by the fact that grain growth generally makes the filmmore tensile due to coalescence of the boundaries [22-24]. Meanwhile, when theionization degree increased at a higher peak power, more ion bombardment on films canalso result in an increase in tempcrature, thercby increasing the thermal stress, whichcontributes to the tensile stress.

結果 (繁體中文) 1:

圖3示出了在沉積不同的參數與Cu膜的彎曲輪廓
具有的Stoney公式計算的殘餘應力。由於係數的不匹配
的熱膨脹，在Cu膜主要表現出在Si襯底上的拉伸應力。在
一般情況下，通過HPPMS製備的膜的應力比製備的膜的更高
由DEMS。這可以通過以下事實晶粒生長通常會使膜進行說明
更拉伸由於邊界的聚結[22-24]。同時，當
電離度在較高的峰值功率增加，上的膜更加離子轟擊可以
還導致增加在tempcrature，thercby增加熱應力，這
有助於拉應力。

結果 (繁體中文) 2:

圖 3 顯示了沉積在不同參數和
用斯通尼方程計算的殘餘應力。由於係數不匹配
在熱膨脹方面，Cu薄膜主要在Si基板上表現出拉伸應力。在
一般說來，HPPMS 準備的影片的壓力高於所準備電影的壓力
通過deMS。這可以通過一個事實來解釋，穀物生長一般使電影
由於邊界的凝聚而更加拉伸[22-24]。同時，當
電化度增加在更高的峰值功率，更多的電轟擊薄膜可以
也會導致溫度增加，通過增加熱應力，這
造成拉伸應力。

結果 (繁體中文) 3:

圖3顯示了在不同參數下沉積的銅薄膜的彎曲曲線，以及
用Stoney方程計算殘餘應力。由於係數不匹配
在熱膨脹過程中，Cu薄膜在Si襯底上主要表現為拉應力。在
一般來說，用HPPMS製備的薄膜應力高於用HPPMS製備的薄膜
德姆斯。這可以解釋為穀物的生長通常使薄膜
由於邊界的合併，張力更大[22-24]。同時，當
在較高的峰值功率下，電離度新增，對薄膜的離子轟擊次數新增
也會導致溫度升高，從而新增熱應力
有助於拉應力。