Chemical vapor deposition (CVD) is

Chemical vapor deposition (CVD) is generally considered an appropriate method to fabricate microdevices, thin films, and high-quality two-dimensional layers such as graphene, MoS2, and BN.Even though some aspects such as high cost and low yield rate need to improve before using this technique industrially, CVD is a fundamentally excellent method to fabricate thin film electrodes, especially when highquality graphene layers are needed.It is known that metallic iron is a common catalyst in growing graphene layers or carbon nanotubes due to the high carbon solubility under CVD conditions.However, it is still a challenge to form few-layer graphene (FLG) by CVD on the surface of a self-organized Fe2O3 NPL without the destruction of their well-defined nanostructures, and there has been no report on the CVD growth and energy storage applications of an FLG-coated heterogeneous Fe2O3/Fe3C NPL. Here, we report the growth of FLG on an Fe2O3 NPL, simultaneously forming a heterogeneous Fe2O3/Fe3C structure, by low temperature CVD (for the fabrication process, see the Experimental Section and Figure S1).

結果 (繁體中文) 1:

化學氣相沉積（CVD）通常被認為是製造微型器件，薄膜，以及諸如石墨烯，二硫化鉬，和BN高質量二維層的適當的方法。
儘管一些方面中，如高費用和低成品率需要在工業上使用這種技術之前改善，CVD是製造薄膜電極的根本優異的方法，需要高質量石墨烯層時尤其如此。
已知的是，金屬鐵在生長石墨烯層或碳納米管的共同催化劑由於CVD條件下高碳溶解度。
但是，它仍然是形成多層石墨烯（FLG）由CVD自組織的Fe2O3 NPL的表面上沒有他們的明確定義納米結構的破壞是一個挑戰，而且一直在CVD生長和能量沒有報告一個FLG塗覆異質的Fe2O3 / NPL碳化鐵的存儲應用。這裡，我們報告上的Fe2O3的NPL FLG的生長，同時形成非均相的Fe2O3 /碳化鐵結構中，通過低溫CVD（對於製造過程中，參見實驗部分和圖S1）。

結果 (繁體中文) 2:

化學氣相沉積 （CVD） 通常被認為是製造微設備、薄膜和高品質二維層（如石墨烯、MoS2 和 BN）的適當方法。
儘管在工業使用之前，諸如高成本和低收率的某些方面需要改進，但 CVD 是製造薄膜電極的一種根本極佳方法，尤其是在需要高品質石墨烯層時。
眾所周知，金屬鐵是生長石墨烯層或碳納米管的常見催化劑，因為CVD條件下碳溶解度高。
然而，在未破壞其明確定義的納米結構的情況下，在自組織Fe2O3 NPL表面形成CVD的少層石墨烯（FLG）仍是一項挑戰，而且沒有關于FLG塗層異構Fe2O3/Fe3C NPL的CVD生長和儲能應用的報告。在這裡，我們報告FLG在Fe2O3 NPL上的增長，同時通過低溫CVD形成異構Fe2O3/Fe3C結構（對於製造過程，參見實驗部分和圖S1）。

結果 (繁體中文) 3:

化學氣相沉積（CVD）通常被認為是製備微器件、薄膜和高品質二維層（如石墨烯、MoS2和BN）的合適方法。
儘管在工業化應用前，CVD科技在成本高、產率低等方面還需要改進，但它是製備薄膜電極的一種非常好的方法，特別是在需要高品質石墨烯層的情况下。
金屬鐵在CVD條件下具有較高的碳溶解度，是生長石墨烯層或碳納米管的常用催化劑。
然而，在自組織Fe2O3 NPL表面通過化學氣相沉積（CVD）製備少量石墨烯（FLG）而不破壞其良好的納米結構仍然是一個挑戰，現時還沒有關於FLG包覆非均相Fe2O3/Fe3C NPL的CVD生長和儲能應用的報導。在這裡，我們報告了在Fe2O3 NPL上生長FLG，同時通過低溫CVD形成非均勻Fe2O3/Fe3C結構（製備工藝見實驗部分和圖S1）。