A JL FET has advantages of smaller

A JL FET has advantages of smaller area by reducing thesource and drain (S/D) volume, lower cost by reducing theprocess steps for shallow and abrupt junction formation, lessdevice variability by eliminating random dopant fluctuationfrom ion-implant or the sensitive epitaxial growth of S/D,and better reliability from the bulk conduction mechanismcompared to a conventional MOSFET [13], [14]. Challengingissues in the JL FET, such as its relatively high off-stateleakage current, are not critical when they are employedin highly scaled synaptic device applications with a thinchannel [15].

結果 (繁體中文) 1:

JL FET 具有以下優點：透過減少源極和汲極 (S/D) 體積​​來縮小面積，透過減少淺結和突變結形成的製程步驟來降低成本，透過消除離子注入或敏感元件的隨機摻雜波動來減少裝置可變性。與傳統 MOSFET 相比，S/D 的外延生長以及體傳導機制帶來的更高可靠性[13]、[14]。JL FET 中的挑戰性問題（例如其相對較高的斷態漏電流）在用於具有細通道的大規模突觸元件應用時並不重要[15]。

結果 (繁體中文) 2:

JL FET具有面積較小的優點，因為它减少了
源極和漏極（S/D）體積，通過减少
淺結和突變結形成的工藝步驟，較少
通過消除隨機摻雜波動實現器件可變性
通過離子注入或S/D的靈敏外延生長，
以及來自體傳導機制的更好的可靠性
與傳統MOSFET[13]、[14]相比。 具有挑戰性的
JL FET中的問題，例如其相對較高的截止狀態
洩漏電流，在使用時並不重要
在具有薄
通道[15]。

結果 (繁體中文) 3:

JL場效應管的優點是通過減小
源極和漏極(S/D)體積，通過減少
淺和突變結形成的工藝步驟，較少
通過消除隨機摻雜劑波動的器件可變性
從離子注入或靈敏的S/D外延生長，
和更好的可靠性
與傳統MOSFET [13]、[14]相比。挑戰性的
JL場效應管的問題，如其相對較高的截止狀態
當使用漏電流時，它們並不重要
在高度縮放的突觸裝置應用中
頻道[15]。