Overall, the research and experimen

Overall, the research and experiment in your paper are good and useful. Yet, it is similar to the experiment that you have ever done before "Enhancing Short Circuit Capability of 1.2 kV Si IGBT using a Gate-Source Shorted Si Depletion Mode MOSFET in Series with the Emitter" and "Comparison of Current Suppression Methods to Enhance Short Circuit Capability of 1.2 kV SiC Power MOSFETs: A New Approach using a Series-connected, Gate-Source-Shorted Si Depletion-Mode MOSFET vs Reduced Gate Bias Operation

結果 (繁體中文) 1:

總體而言，在本文的研究和實驗是好的，有用的。然而，這是類似的實驗，你之前“在系列與發射器使用的柵 - 源短路矽耗盡型MOSFET 1.2千伏矽IGBT的增強短路能力”和“電流抑制方法比較提高短做過1.2千伏的SiC功率MOSFET的電路能力：使用串聯連接，柵極 - 源極短路的Si耗盡型MOSFET VS減小的柵極偏壓過程的新方法

結果 (繁體中文) 2:

我將和兩個米爾星的工程師一起飛往美國。

結果 (繁體中文) 3:

總的來說，你的論文中的研究和實驗是好的和有用的。然而，這類似於你以前做過的實驗“使用柵極源與發射極串聯的短矽耗盡模式MOSFET增强1.2kv Si-IGBT的短路能力”和“增强1.2kv SiC功率MOSFET短路能力的電流抑制方法比較：一種使用串聯栅源短路矽耗盡型MOSFET與降低栅偏壓的比較