The Eq.(4.49) concentration relatio

The Eq.(4.49) concentration relationships are valid for any conceivable positioning of the Fermi level. Nc and Nv, the effective density of states, are of course readily computed for a given material and temperature: the 300 K values of these constants for Ge, Si, and GaAs are listed in Table 4.2A.［At 300 K, Nc,v = (2.510 × 1019/cm3) (m*n,p/m0)3/2.］F1/2(η), on the other hand, is obtained from literature tabulations, through direct computation, or by the use of analytical approximations.

結果 (繁體中文) 1:

方程式（4.49）濃度關係對於費米能階的任何可能的定位都是有效的。對於給定的材料和溫度，Nc 和 Nv（有效態密度）當然很容易計算：Ge、Si 和 GaAs 的這些常數的 300 K 值列於表 4.2A 中。［在 300 K 時，Nc， v = (2.510 × 1019/cm3) (m*n,p/m0)3/2.]F1/2(η)則透過文獻表格、直接計算或使用分析近似值。

結果 (繁體中文) 2:

方程（4.49）的濃度關係對於費米能級的任何可能的定位都是有效的。 對於給定的資料和溫度，有效態密度Nc和Nv當然很容易計算：Ge、Si和GaAs的這些常數的300K值列於錶4.2A中。另一方面，F1/2（η）是通過直接計算或使用分析近似從文獻清單中獲得的。

結果 (繁體中文) 3:

情商。(4.49)濃度關繫對於費米能級的任何可能的位置都是有效的。對於給定的材料和溫度，Nc和Nv(有效態密度)當然很容易計算:Ge、Si和GaAs的這些常數在300 K時的值列於表4.2A中[在300 K時，Nc，v = (2.510 × 1019/cm3) (m*n，p/m0)3/2。另一方麵，F1/2(η)是從文獻表中，通過直接計算，或使用解析近似法得到的。