IntroductionThe molecular basis of

Introduction
The molecular basis of learning and memory involves modifying neuronal synapses in response to electrical activity, a process termed synaptic plasticity. Memory formation has been divided into two temporal phases. Short-term memory formation involves changes to synaptic efficacy by modifying existing proteins. Long-term memory formation requires new gene transcription and protein production to stabilize recent changes. These long-term changes to synaptic strength take several forms. In long-term potentiation(LTP), specific synapses are strengthened. In long-term depression (LTD), specific synapses are weakened. In homeostatic plasticity, neuron-wide shifts in responsiveness maintain the maximal sensitivity of the neuron to future activity-dependent synaptic plasticity.

結果 (中文) 1:

引进
学习和记忆的分子基础涉及修改神经突触响应于电活动，这个过程称为突触可塑性。记忆的形成已被分为两个时相。短期记忆的形成涉及到突触效能的变化，通过修改现有的蛋白质。长期记忆的形成需要新的基因转录和蛋白生产稳定最近的变化。这些突触强度的长期变化采取几种形式。在长时程增强（LTP），特定的突触被加强。在特定的突触长时程抑制（LTD），被削弱。在稳态可塑性，神经元变化的响应能力，保持最大的神经元的敏感性未来的活性依赖的突触可塑性。

結果 (中文) 2:

介绍
分子基础的学习和记忆涉及修改神经元突触反应电活动，这一过程被称为突触可塑性。记忆的形成被分为2个时间阶段。短期记忆的形成涉及改变突触效能的修改现有的蛋白质。长期记忆的形成需要新的基因转录和蛋白生产稳定最近的变化。这些长期变化突触强度的几种形式。在长时程增强（编码），具体的突触的加强。长期抑郁（有限公司），具体突触的削弱。稳态可塑性，神经元广泛转移反应保持最大的敏感性神经元的活动依赖突触可塑性的未来。

結果 (中文) 3:

介绍
学习和记忆的分子基础涉及到修改神经元突触的电活动响应、 一个过程称为突触可塑性。记忆的形成已被分为两个时空阶段。短期记忆形成涉及突触的效能的更改通过修改现有的蛋白质。长期记忆的形成需要新基因转录和蛋白生产稳定最近的更改。这些突触强度的长期变化采取不同形式。在长期的 potentiation(LTP)，被加强特定神经突触。在长期抑郁 (有限公司)，具体突触被削弱。恒久的可塑性，反应性的神经元宽变化保持神经元对未来活动依赖突触可塑性最大的敏感性。