ALD Deposition: The dielectric stac

ALD Deposition: The dielectric stack is deposited using a sequential in situ ALD process. Various precursors are used, including TEMAHf (Tetrakis(ethylmethylamino)hafnium), TEMAZr (Tetrakis(ethylmethylamino)zirconium), TMA (Trimethylaluminum), and H2O (water) as the precursors for Hf, Zr, Al, and O, respectively.

結果 (繁體中文) 1:

ALD 沉積：使用順序原位 ALD 製程沉積電介質疊層。使用各種前驅物，包括TEMAHf（四（乙基甲基氨基）鉿）、TEMAZr（四（乙基甲基氨基）鋯）、TMA（三甲基鋁）和H2O（水）分別作為Hf、Zr 、Al和O的前驅物。

結果 (繁體中文) 2:

ALD沉積：使用順序原位ALD工藝沉積電介質堆疊。 使用各種前體，包括分別作為Hf、Zr、Al和O的前體的TEMAHf（四（乙基甲氨基）鉿）、TEMAZr（四（甲基甲氨基）鋯）、TMA（三甲基鋁）和H2O（水）。

結果 (繁體中文) 3:

ALD沉積:使用連續的原位ALD工藝沉積電介質疊層。使用各種前體，包括TEMAHf(四(乙基甲基氨基)鉿)、TEMAZr(四(乙基甲基氨基)鋯)、TMA(三甲基鋁)和H2O(水)分別作爲Hf、Zr、Al和O的前體。