It has been reported that the poly

It has been reported that the polycrystalline InTe possesses a high TE figure-of-merit (FOM) ZT of 0.9 and ultralow lattice thermal conductivity of ~0.3–0.4 Wm-1K− 1 at temperature of 600 K [16,17], which makes it promising for high performance TE applications. Besides, bulk InTe crystal is a semiconductor with a bandgap of 1.16 eV [

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据报道，多晶 InTe 具有 0.9 的高 TE 品质因数(FOM) ZT 和在 600 K 温度下 ~0.3–0.4 Wm-1K− 1 的超低晶格热导率[16,17]，这使得它在高性能 TE 应用中很有前景。此外，块状InTe晶体是一种带隙为1.16 eV的半导体[

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据报道，多晶InTe具有高的TE品质因数 0.9的（FOM）ZT和约0.3–0.4的超低晶格热导率 Wm-1K−1在600 K的温度下[16,17]，这使其有望用于 高性能TE应用。此外，体InTe晶体是一种带隙为1.16eV的半导体[

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eporTed已经证明多晶InTe具有高的te品质因数 (FOM) ZT为0.9，超低晶格热导率约为0.3–0.4 WM-1K 1的温度为600 K [16，17]，这使得它有望用于 高性能热电应用。此外，大块InTe晶体是带隙为1.16电子伏的semiconducto

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