To study Ru electromigration, the s

To study Ru electromigration, the single damascene lines were stressed by 5 MA/cm2 at 300°C for 1000 hours. No failures of Ru interconnects for half pitches of (sub-)10 nm were observed. Although the direct comparison to Cu structures is not straightforward, it should be noted that Cu lines typically show failures under such conditions even for larger line widths of the order of 20 nm and for optimized liner and cap combinations. This demonstrates the excellent electromigra-tion properties of Ru due to its refractory nature.

結果 (繁體中文) 1:

為了研究茹電遷移，單鑲嵌線用5毫安/厘米2，在300℃強調1000小時。觀察到的Ru互連件的（子）10納米半節距的無故障。雖然直接比較的Cu結構並不簡單，但應當注意的是，Cu導線通常顯示這樣的條件下的故障甚至為20nm量級的較大的線寬度和優化襯墊和蓋的組合。這充分顯示了出色的electromigra-
茹和灰特性，由於其耐火性質。

結果 (繁體中文) 2:

為了研究Ru電遷移，單壩景線在300°C下被5 MA/cm2應力1000小時。未觀察到（低於）10 nm半螺距的Ru互連故障。雖然與 Cu 結構的直接比較並不簡單，但應該注意的是，Cu 線通常顯示故障，即使在 20 nm 的較大線寬以及優化的襯套和蓋組合中也是如此。這展示了出色的電鍍
魯的耐火性。

結果 (繁體中文) 3:

為了研究Ru電遷移，在300℃下用5ma/cm~2的應力作用單個大馬士革線1000小時。在（亞）10nm的半節距範圍內，未觀察到Ru互連失效。儘管與銅結構的直接比較並不簡單，但應注意的是，銅線在這種情況下通常會出現故障，即使是20 nm量級的較大線寬以及優化的內襯和帽組合。這證明了良好的電遷移-
釕的耐火性質决定了它的離子性質。