Tunneling Electroresistance: It is

Tunneling Electroresistance: It is noted that the MFIS structure has a higher tunneling electroresistance (TER) ratio compared to the metal-ferroelectric-insulator-metal (MFIM) structure. TER refers to the change in resistance of a material due to the polarization of the ferroelectric layer, which can be exploited for memory and computing applications.

結果 (繁體中文) 1:

隧道電阻：值得注意的是，與金屬-鐵電-絕緣體-金屬(MFIM)結構相比，MFIS結構具有更高的隧道電阻(TER)比。TER 是指由於鐵電層的極化而導致材料電阻的變化，可用於記憶體和運算應用。

結果 (繁體中文) 2:

隧穿電阻：值得注意的是，與金屬-鐵電-絕緣體-金屬（MFIM）結構相比，MFIS結構具有更高的隧穿電阻（TER）比。 TER是指由於鐵電層的極化而導致的資料電阻變化，可用於記憶體和計算應用。

結果 (繁體中文) 3:

隧道電阻:注意，與金屬-鐵電體-絶緣體-金屬(MFIM)結構相比，MFIS結構具有更高的隧道電阻(TER)比。TER是指由於鐵電層的極化而引起的材料電阻的變化，這可以用於存儲和計算應用。