The median incremental gross margin

The median incremental gross margin over the last five years is
61%. The high was 67% in 2014 while the low was 57% over the
last twelve months (Nov-15 to Aug-16).
2) We are assuming that Micron can generate 65% incremental
gross margin over the course of this cycle, slightly better than
a 5-year median. There are several positive factors in play: The
leading supplier in the market, Samsung, is showing a willingness to
adjust DRAM capacity in order to bring supply-demand in balance.
We expect DRAM bit supply to decrease from the low-to-mid 20%
range in 2016 to less than 20% (record low) in 2017 as wafer
production declines. Micron’s cost structure should also
meaningfully improve. In DRAM, we believe the company is making
progress on qualifications of 20nm LPDDR4 in mobile and 8GB
DDR4 in enterprise, cloud and client. In NAND, there hasn't been a
process shrink in over two years. But costs should come down as
Micron transitions to lower cost 3D NAND and TLC products.

結果 (繁體中文) 1:

在過去的五年中位數增量的毛利率是61%。高達 67%在 2014 年雖然低了 57%過去 12 個月 (到 8 月 16-11-15)。2） 我們假設微米可以生成 65%增量毛利率，當然這種迴圈，略好于5 年中位數。在劇中有幾個積極因素︰領先的供應商在市場上，三星，顯示意願調整 DRAM 的能力，以使供需平衡。我們預期 DRAM 位供應量會減少從低到中期 20%在 2016 年把小於 20%（最低點） 2017 年作為矽片的範圍生產繼續下降。微米的成本結構還應切實提高。在 DRAM，我們相信，公司正在在移動 20nm LPDDR4 和 8 GB 的資歷進展在企業、 雲計算和用戶端的 DDR4。在 NAND，還會有兩年多來的過程收縮。但成本應降下來微米級轉換，以降低成本 3D NAND 和薄層色譜法產品。

結果 (繁體中文) 2:

在過去五年平均遞增毛利率為
61％。高為67％，在2014年，而低超過57％，
過去十二個月（月15至8月-16）。
2）我們假設美光可以產生65％的增量
在這個循環過程毛利率略有優於
5年的中位數。有在玩一些積極因素：
在市場上，三星的領先供應商，正顯示出願意
為用戶帶來平衡的供需調整DRAM產能，
我們預計DRAM位的供應，從低到20年代中期下降％
範圍內於2016年低於20％（歷史低點），2017年晶圓
產量下降。美光公司的成本結構也應
切實提高。在DRAM，我們認為公司正在
對移動和8GB 20nm的LPDDR4資格進步
企業，雲和客戶端DDR4。在NAND，但一直沒有一個
過程縮水超過兩年。但成本應降下來
微米過渡到成本較低的3D NAND和TLC產品。

結果 (繁體中文) 3:

在過去的五年中的平均增量毛利率為61%。高為67%，2014，而低為57%，比過去的十二個月（nov-15到aug-16）。2）我們假設，微米可以產生65%的增量在這個週期的過程中的毛利率，略優於五年中位數。遊戲中有幾個積極的因素：領先的供應商在市場上，三星，是顯示出願意調整為DRAM產能帶來的供需平衡。我們預計DRAM比特供應從低降到20%年年中範圍在2016至小於20%（記錄低）在2017為晶圓產量下降。微米的成本結構也應該明顯改善。在DRAM，我們相信公司製造在20nm LPDDR4移動和8GB的資格的進展DDR4在企業、云計算和用戶端。在NAND閃存，沒有過程收縮超過兩年。但成本應該下降微米過渡到低成本的3D NAND和TLC的產品。