 Bipolar transistors– npn or pnp s

 Bipolar transistors– npn or pnp silicon structure– Small current into very thin base layer controls large currents between emitter and collector– Base currents limit integration density Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors– nMOS and pMOS MOSFETS– Voltage applied to insulated gate controls current between source and drain– Low power allows very high integration

結果 (繁體中文) 1:

✓ 雙極電晶體– npn 或 pnp 矽結構– 進入非常薄的基極層的小電流控制發射極和集電極之間的大電流– 基極電流限制集成密度✓ 金屬氧化物半導體場效電晶體– nMOS 和pMOS MOSFET – 施加到絕緣閘極的電壓控制電流源極和汲極– 低功耗允許非常高的整合度

結果 (繁體中文) 2:

 雙極電晶體
–npn或pnp矽結構
–進入極薄基底層的小電流控制大電流
發射極和集電極之間
–基極電流限制積分密度
 金屬氧化物半導體場效應電晶體
–nMOS和pMOS MOSFET
–施加到絕緣柵極的電壓控制源極之間的電流
和排水
–低功耗實現高度集成

結果 (繁體中文) 3:

雙極晶體管
–npn或pnp矽結構
–流入極薄基層的小電流控製大電流
髮射極和集電極之間
–基極電流限製了集成密度
金屬氧化物半導體場效應晶體管
–nMOS和pMOS MOSFET
–施加在絶緣柵上的電壓控製電源之間的電流
和排水
–低功耗支持極高的集成度