Instrumental analysis was performed

Instrumental analysis was performed with a gas chromatograph coupled to a mass spectrometer (GC-MS Shimadzu QP2010 Ultra) equipped with an AOC-20i/s autosampler. An HP-5 MS column (30 m ✕0.25 mm, film thickness: 0.25 μm) was used for separation. The initial oven temperature was set at 100 °C, then raised to 110 °C with a heating rate of 4 °C/min. The temperature was finally raised to 280 °C at 15 °C/min and held for 15 min. Injection volume was 2 μl in splitless mode and helium was employed as carrier gas (purity ≥ 99,999%) with a constant flow of 1.0 ml/min. The temperature of the ion source was 230 °C. The MS was operated in single ion monitoring (SIM) mode and the mass traces acquired (m/z) for each congener and IS are reported in Table 1.Table 1. Analytical and validation parameters of the applied method.

結果 (繁體中文) 1:

用配有AOC-20I / s的自動進樣器耦合到質譜儀（GC-MS的Shimadzu QP2010超）的氣相色譜儀進行儀器分析。的HP-5 MS柱（30m✕0.25毫米，薄膜厚度：0.25微米）用於分離。初始烘箱溫度設定為100℃，然後升溫至110℃，以4℃/ min的加熱速率。將溫度升至最後到280℃以15℃/分鐘，保持15分鐘。注射體積是2微升在無分流模式和氦氣用作載氣（純度≥99999％）以1.0ml / min的恆定流動。離子源的溫度為230℃。該MS在單離子監測（SIM）模式操作，並且所獲取的質量跡線（M / Z）為每個同類和IS被報告在表1
表1中的分析和所施加的方法的驗證參數。

結果 (繁體中文) 2:

儀器分析使用與質譜儀（GC-MS Shimadzu QP2010 Ultra）耦合的氣體色譜儀進行，該圖儀配有AOC-20i/s自動採樣器。HP-5 MS 柱（30 m = 0.25 mm，薄膜厚度：0.25 μm）用於分離。初始烤箱溫度設定為100°C，然後提高到110°C，加熱速率為4°C/分鐘。溫度在15°C/分鐘時最終提升至280°C，保持15分鐘，無分模下注射量為2μl，氦氣用作載運氣體（純度=99，999%）恒定流量為1.0ml/min。汽源的溫度為230°C。MS以單子監測（SIM）模式運行，表1報告了每個同系體和IS獲得的品質痕跡（m/z）。
表 1.應用方法的分析和驗證參數。

結果 (繁體中文) 3:

儀器分析採用氣相色譜儀和配有AOC-20i/s自動進樣器的質譜儀（GC-MS Shimadzu QP2010 Ultra）進行。採用HP-5ms柱（30 m✕0.25 mm，膜厚0.25 μm）進行分離。將初始烘箱溫度設定為100°C，然後以4°C/min的升溫速率升溫至110°C，最後以15°C/min的升溫速率升溫至280°C，並保持15°C/min，無分流進樣量為2μl，以氦氣為載氣（純度≥99，999%），恒定流量為1.0 ml/m in。離子源溫度為230 °C。質譜儀在單離子監測（SIM）模式下運行，每種同系物的質量記錄（m/z）見錶1。
錶1。應用方法的分析和驗證參數。