With the advent of eGaN® FETs and I

With the advent of eGaN® FETs and ICs, the desired performance becomes possible with simple, small circuits at low costs. Three of the most popular FETs for LiDAR are the EPC2036, EPC2016C and the EPC2001C, shown in figure 2. The greatly improved performance of eGaN FETs versus older silicon MOSFET technology translates to much faster switching for a given peak current capability, enabling currents >100 A and pulse widths

結果 (繁體中文) 1:

與eGaN®FET和集成電路的出現，所希望的性能成為可能以低的成本簡單，小型的電路。最流行的FET為激光雷達的三個是EPC2036，EPC2016C和EPC2001C，如圖2所示。的eGaN FET的對年齡較大的矽MOSFET技術大大提高性能轉化為給定的峰值電流的能力以更快的速度切換，使電流> 100 A和脈衝寬度

結果 (繁體中文) 2:

隨著 eGaN® FET 和 IC 的出現，以低成本使用簡單、小型電路即可實現所需的性能。LiDAR 最受歡迎的三個 FET 是 EPC2036、EPC2016C 和 EPC2001C，如圖 2 所示。與較舊的矽MOSFET技術相比，eGaN FET 的性能顯著提高，實現了更快的切換速度，實現了給定的峰值電流能力，使電流達到 ±100 A 和脈衝寬度

結果 (繁體中文) 3:

隨著eGaN®場效應電晶體和集成電路的出現，以低成本實現簡單、小型電路的理想效能成為可能。雷射雷達最流行的三種FET是EPC2036、EPC2016C和EPC2001C，如圖2所示。與較老的矽MOSFET科技相比，eGaN fet的效能大大提高，這意味著在給定的峰值電流能力下，開關速度更快，電流大於100a，脈衝寬度也更大