After the remelting process, a reme

After the remelting process, a remelted layer of
less than about 100 ktm formed on the surface of the
PTAW overlay (Fig. 3a). This layer presented very
high etching resistance. Although many kinds of
etchants were selected and an etching period of as
long as 6h was tried, we failed to etch out the
microstructure of the remelted layer. In Fig. 3a,
which is a transversal cross-section of the PTAW
overlay, the white band on the top surface of the
overlay is the remelted layer. After etching in 40%
HNO3 + 00% CH3COOH at 50 °C for 2-3 h, etch pits began to form on the remelted top surface. The
morphology of the etch pits after 5 h etching is
presented in Fig. 3b.

結果 (中文) 1:

后重熔过程中，重熔层的小于约 100 ktm 形成的表面上等离子喷焊叠加 （图 3a）。这一层提出了一种非常高刻蚀电阻。虽然许多种类的腐蚀剂入选及作为刻蚀期只要 6 h 受审，我们未能蚀刻出重熔层的显微组织。图 3a哪是等离子喷焊横向截面覆盖，在顶面上的白人乐队覆盖是重熔的层。40%的蚀刻后HNO3 + 00 %ch3cooh） 在 50 ° C 2-3 小时，蚀坑开始形成的重熔的顶面。的形态的蚀坑 5 h 蚀刻后提出了一种在图 3b。

結果 (中文) 3:

重熔后，重熔层
小于约100 KTM形成的
等离子喷焊层的表面（图3A）。这一层很
高耐腐蚀。虽然许多种
蚀刻剂进行蚀刻时间为6h
只要尝试，我们未能蚀刻出来的重熔层组织的
。在图3A，
是一种横向截面的喷焊
覆盖，对
覆盖上表面的白色带重熔层。蚀刻在40%
HNO3 0%醋酸50°C 2-3小时后，腐蚀坑开始对重熔层表面形成。腐蚀坑的5 h后蚀刻
图3b所提出的
形态。