an indium gallium arsenide (InGaAs)

an indium gallium arsenide (InGaAs) avalanche photodiode (APD) module that is designed for light level detection and/or signal transmission applications. The new 50 µm active area device features low dark current, low back reflection, and high speed (2.5 Ghz) in a miniature package. With spectral response from 1000 nm to 1650 nm at 25 degrees C, the typical operational wavelength is 1550 nm.

結果 (繁體中文) 1:

銦鎵砷（InGaAs），其被設計用於光水平檢測和/或信號傳輸應用雪崩光電二極管（APD）模塊。新的50微米有源區器件的特徵是在微型封裝低暗電流，低背反射，和高速（2.5千兆赫）。與在25℃從1000至1650nm的光譜響應，典型的工作波長為1550nm。

結果 (繁體中文) 2:

專為光照級檢測和/或信號傳輸應用而設計的砷化砷（InGaAs）雪崩光電二極體（APD）模組。新的 50 μm 有源區域器件採用微型封裝，具有低暗電流、低後反射和高速（2.5 Ghz）功能。在 25 攝氏度時，光譜回應從 1000 nm 到 1650 nm，典型的工作波長為 1550 nm。

結果 (繁體中文) 3:

一種銦鎵砷化物（InGaAs）雪崩光電二極體（APD）模塊，設計用於光電平檢測和/或訊號傳輸應用。新的50μm有源區器件具有低暗電流、低背反射和高速（2.5ghz）的微型封裝。在25攝氏度時，光譜響應從1000納米到1650納米，典型的工作波長為1550納米。