Hence, in TFTs, in which the film t

Hence, in TFTs, in which the film thickness is less than the equilibrium depletion layer thickness for surface inversion, xdmax, the saturation voltage is equal to the simple, classical MOSFET value of VG - VT. This is quite different from the detailed analysis of realistically doped MOSFETs (where VD(sat)VG - VT).

結果 (繁體中文) 1:

因此，在TFT中，其中，所述膜的厚度小於平衡耗盡層厚度為表面反，xdmax，飽和電壓等於簡單，VG的古典MOSFET值 - VT。這是從現實摻雜MOSFET的詳細分析相當不同（其中，VD（飽和的）VG - VT）。

結果 (繁體中文) 2:

因此，在TFT中，薄膜厚度小於表面反轉的平衡損耗層厚度xdmax，飽和電壓等於VG-VT的簡單經典MOSFET值。這與實際摻雜的MOSFET（其中VD（sat）VG- VT）的詳細分析大相徑庭。

結果 (繁體中文) 3:

囙此，在薄膜厚度小於表面反轉平衡耗盡層厚度xdmax的tft中，飽和電壓等於VG-VT的簡單經典MOSFET值。這與實際摻雜MOSFET（其中VD（sat）VG-VT）的詳細分析完全不同。