during mechanical polishing is ther

during mechanical polishing is therefore removed. Figure 4 shows two pairs of electron micrographs and EBSD patterns [9]. The effects of polishing time on the pattern quality are observed. It indicates that silica polishing needs a very long time to reach a good surface. From the experience in our group, silica polishing works for materials with very high atomic number and the image quality obtained from this method is obviously lower than that of the same material polished by electropolishin

結果 (中文) 1:

因此，在机械抛光除去。图4示出对电子显微镜照片和电子背散射衍射图案[9]。抛光时间对图案质量的影响被观察到。它表示，二氧化硅抛光需要一个很长的时间才能达到良好的表面。在我们的小组的经验，二氧化硅抛光工程材料具有非常高的原子序数，从该方法获得的图像质量是明显低于电解抛光研磨相同的材料

結果 (中文) 2:

在机械抛光是去除。图4显示了两对电子显微照片和EBSD模式[ 9 ]。抛光时间对图形质量影响的观察。结果表明，硅抛光需要达到一个良好的表面很长时间。在我们团队的经验，硅抛光的作品具有很高的原子序数和由该方法得到的图像质量明显低于同一材料的electropolishin抛光材料

結果 (中文) 3:

在机械抛光过程因此删除。图 4 显示了两个成对的电子显微照片和电子背散射衍射图案 [9]。观察抛光时间对模式质量的影响。它指示硅抛光需要很长的时间才能达到良好的表面。从经验中我们组硅抛光材料具有非常高的原子数和从这种方法获得的图像质量工程是明显地比低，同样的材料抛光的 electropolishin