Overall, the research and experimen

Overall, the research and experiment in your paper are good and useful. Yet, it is similar to the experiment that you have ever done before, like "Enhancing Short Circuit Capability of 1.2 kV Si IGBT using a Gate-Source Shorted Si Depletion Mode MOSFET in Series with the Emitter" and "Comparison of Current Suppression Methods to Enhance Short Circuit Capability of 1.2 kV SiC Power MOSFETs: A New Approach using a Series-connected, Gate-Source-Shorted Si Depletion-Mode MOSFET vs Reduced Gate Bias Operation"

結果 (繁體中文) 1:

總體而言，在本文的研究和實驗是好的，有用的。然而，這是類似的實驗，你曾經做過，像“在系列與發射器使用的柵 - 源短路矽耗盡型MOSFET 1.2千伏矽IGBT的增強短路能力”和“當前抑制方法來比較提高1.2千伏的SiC功率MOSFET的短路能力：使用串聯連接，柵極 - 源極短路的Si耗盡型MOSFET VS減小的柵極偏壓過程的新方法“

結果 (繁體中文) 2:

總體而言，你的論文中的研究和實驗是良好和有用的。然而，它類似于你以前做過的實驗，如"使用門源短S耗盡模式MOSFET與發射體串的1.2kV Si IGBT的短路能力"和"電流抑制方法的比較到增強 1.2 kV SiC 功率 MOSFET 的短路能力：使用系列連接的柵極源短路-模式 MOSFET 與降低柵極偏置操作的新方法"，

結果 (繁體中文) 3:

總的來說，你的論文中的研究和實驗是好的和有用的。不過，這和你以前做過的實驗很相似，類似於“使用柵極源短路矽耗盡型MOSFET與發射極串聯提高1.2kv Si-IGBT的短路能力”和“增强1.2kv SiC功率MOSFET短路能力的電流抑制方法比較：使用串聯柵極源短路矽耗盡型MOSFET的新方法柵極偏置操作”